소개글
HEMT(High Electron Mobility Transistor)에 대한 자료입니다.
목차
1. What’s HEMT?
2. 2DEG
3. Polarization
4. Contacts
5. Summary
본문내용
1. What’s HEMT?
- High electron mobility with heterojunction structure
(Prevent Coulomb scattering with no doping materials)
- High thermal stability
- High Breakdown voltage
2. 2DEG
- Discontinuity through the conduction band of the two semiconductors determines a charge transfer,
creating a triangular potential.
3. Polarization
- AlGaN/GaN HEMTs transistor don’t need doping to obtain a high electron density.
4. Contacts
- Source / Drain : Ohmic contact, Carrier could move free Metal ↔ Semiconductor.
- Gate : Schottky contact, controlled transistor to turn on / off.
5. Summary
참고문헌
위키피디아 http://en.wikipedia.org/wiki/High_electron_mobility_transistor
하고 싶은 말
최근 활발히 연구되고 있는 GaN HEMT의 기본 원리에 대한 내용입니다.
기본적인 고체 물리 지식만 있으면 쉽게 이해할 수 있도록 쉬운 내용으로 풀어서 정리하였습니다.