MEMS 및 ICS에 식각공정 분류와Low-pressure CVD(LPCVD), Plasma-Enhanced CVD(PECVD)의 원리
분야
hwp1.가스식각
2.스퍼터링 효과에 의한 물리적 식각
3.RIE 식각
2.Low-pressure CVD(LPCVD)와 Plasma-Enhanced CVD(PECVD)의 원리를 설명하시오
1.Low-pressure CVD(LPCVD)
2.Plasma-Enhanced CVD(PECVD)
MEMS 식각공정은 건식식각공정이 대표적이다.
건식식각기술은 용액 속에서 식각을 하지 않고 기체상태에서 용액 없이 식각을 진행 하는 방법으로 가스 식각, 스퍼터링효과 식각, RIE 식각으로 분류된다.
1.가스식각
: 기체상태의 HF를 이용하여 실리콘 산화막을 식각하는 것과 제논 다이플로라이드(XeF2)를 이용하여 실리콘을 식각하는 두가지 방법이 있다. 상온에서 제논 다이플로라이드는 실리콘과 결합하여 제논과 실리콘 플로라이드로 되어 실리콘이 식각된다.
2.스퍼터링 효과에 의한 물리적 식각
: 물리적 충돌에 의해서 실리콘 원자가 표면에서 뜯겨져 나가는 것
Magazine of the KITE 28, 1072 (2001).
Jing Chen, Litian Liu, Zhijian Li, Zhimin Tan,
Qianshao Jiang,Huajun Fang, Yang Xu, Yanxiang
Liu, Sensors and Actuators A 96, 152 (2002)
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