분야
hwp1. Introduction
1-1 실험 목적
1-2 배경 이론
2. Experiment
2-1 실험 방법
3. Result and Discussion
3-1 Result
3-2 Discussion
4. Conclusion
5. Reference
1-1 실험 목적
이번 실험의 목적은 MOS Capacitor를 직접 제작해보며 그 공정을 이해하는 것이다. 또한 유전층의 종류(SiO2, Al2O3)에 따라 MOS Capacitor 의 전기적 특성이 어떻게 달라지는지 살펴보고 변화하는 Capacitance 의 차이를 분석한다. 이를 바탕으로 각 유전층의 유전상수(dielectric constant)를 실험적인 데이터를 통해 계산한 후 실제 값과 비교하여 본다.
1-2 배경 이론
1-2-1 MOS Capacitor
그림 1.1 Capacitor
그림 1.2 MOS capacitor
Capacitor(축전기)란 전기회로에서 전기용량을 지녀 전하를 축적시키는 소자를 지칭한다. MOS Capacitor란 Metal-Oxide-Semiconductor(금속-산화물-반도체)의 3중 구조를 말한다. Metal-Insulator-Semiconductor(금속-절연체-반도체) 구조 중에서 가장 널리 이용된다. 실제로는 실리콘 기판위에 SiO2 박막을 형성하고 그 위에 금속 전극을 배치한다. 이 구조를 접합구조로 한 MOS 다이오드, 전계효과 트랜지스터(FET)의 게이트에 사용한 MOSFET 등의 장치에 응용되고 있다.
(1) MOS의 구조
MOS는 반도체 기판위에 이산화규소(Si02)로 된 Depletion layer(공핍층)와 금속층을 쌓아서 얻어진다. SiO2가 유전체(dielectric) 물질이므로 평행판축전기(두 개의 도체판으로 구성된 축전기)의 두 금속 전극 중에서 하나를 반도체로 대체한 것과 같은 구조이다.
(2) MOS Capacitor의 동작 원리
MOS의 capacitance는 Gate에 가해지는 전압()에 의존하며, 그에 따라 두 가지 전압(flat band voltage, threshold voltage)을 기준으로 크게 세 가지 동작 영역(accumulation, depletion, inversion), 그리고 그 사이의 flat band condition으로 구분된다. 그리고 이 세 가지 영역은 각각 가해지는 전압에 따른 반도체 표면의 상태 변화를 나타낸다.
[3] 한국진공학회지 제 10권 제 1호, 2001년
[4] 엔지니어를 위한 기초전자공학 -明正水
[5] Journal of the Korean Physical Society, Vol. 40, 1, January 2002, pp. 64~67
[6] http://ecee.colorado.edu/~bart/book/book/chapter6/ch6_3.htm
[7] 재료전자기학 - 염근영교수님 강의노트
[8] http://blog.naver.com/hukyoung84?Redirect=Log&logNo=20093844384 RCA cleaning
[9] Thermal Evapotator : www.yoosung-vacuum.co.kr/kr/product/03.htm
[10]http://www.home.agilent.com/en/pd-582565-pn-B1500A/semiconductor-device-analyzer?&cc=KR&lc=kor
