분야
hwp- DRAM의 종류들
2. SRAM (Static RAM, 정적 RAM)
- SRAM의 종류들
3. FRAM(Ferroelectric Random Access Memory, 강유전성 램)
4. MRAM (Magneto-resistive RAM)
@그 밖의 메모리들
FeRAM의 구동 원리 및 회로도
- Ferroelectric Capacitor
- 1T-1C Memory Cell
LASER
RTA
TiO2
전도성 산화물
비정질 유전체 산화물
산화물전극의 종류와 역할
산화물전극의 재료와 제조공정
BSR oxide electrode for BST
-동속호출 기억장치 또는 임의접근 기억장치라고도 한다. 컴퓨터의 기억장치로 많이 사용되는 메모리 반도체에는 랜덤 액세스 기억장치인 램(RAM)과 판독 전용 기억장치인 롬(ROM)이 있고, 램에는 일반적으로 동적 램인 디램과 정적 램인 에스램이 있다. 디램은 반도체 산업 중에서 비중이 매우 큰 제품이며, 특히 우리나라 반도체 산업의 주류를 이루고 있다.
에스램은 값이 비싼 반면 디램이 가지지 못한 장점을 가지고 있고 처리속도도 빠르게 동작되는 특성을 나타내기 때문에, 빠른 처리속도가 필요한 소규모 외부 캐시(cache) 기억장치에 사용하고 있으며, 디램은 캐시 기억장치에 비해 다소 속도가 떨어져도 무방한 일반적인 기억장치에 사용된다.
디램은 전원이 차단될 경우 저장되어 있는 자료가 소멸되는 특성이 있는 휘발성 기억소자이며, 시간이 지나가면 축적된 전하가 감소되기 때문에 전원이 차단되지 않더라도 저장된 자료가 자연히 소멸되는 단점이 있다. 따라서 일정 시간마다 기억된 자료를 유지하기 위하여 리프레시(refresh)가 필요하며, 이를 위한 제어회로가 시스템측에 탑재되어야 한다. 반면에 전력 소모가 적고, 가격이 낮으며 집적도가 매우 높아 대용량 기억장치에 많이 사용된다.
고집적회로의 기술진보로 디램은 대략 3년마다 4배 정도의 집적도가 높아지고 있어, 1986년에는 1MB 디램이 실용화되더니 12년이 지난 1998년에는 64MB가 주류를 이루고, 1999년 현재에는 256MB 디램도 실용화되기 시작하고 있다.
