분야
ppt Experiment Purpose
MOS-FET의 드레인특성을 실험적으로 결정한다.
FET 증폭기에 대한 여러 가지 바이어스를 고찰한다.
MOS-FET 공통 소스 증폭기의 전압이득을 측정한다.
What is the MOS-FET ?
J-FET와 마찬가지로 드레인 전류 ID 가 게이트 전압에 의하여 제어되는 전계효과 트랜지스터(FET)이다.
J-FET과는 물리적 구조와 동작원리가 다르다.(J-FET-접합형, MOS-FET-금속산화물 반도체형)
만드는 방법에 따라 공핍형과 증가형이 있으며 J-FET보다 큰 입력 임피던스를 가진다.
1-1. Enhancement type
MOS-FET
드레인과 소스 사이에 채널이 없다.
N형 드레인과 소스가 P형 기판에 의하여 분리되어 있다.
게이트와 기판은 SIO2 절연체에 의하여 분리되어진 캐패시터의 전극판과 같은 작용을 한다.
