Lithography은 일반적으로 광에 의하여 마스크(Mask)
상에 기하학적 모형(Pattem)을 반도체 웨이퍼의 표면에
도포되어 있는 얇은 감광재료(Photoresist)에 옮겨 놓은
것이다
1. 감광제는 빛에 예민한 반응을 보이는 화합물로서 현재 반도체
산업에 쓰이는 감광제는 3가지 요소 용제, 다중체, 감응제로 구성
되
1. 리소그래피(Lithography)의 정의
노광 기술(Lithography 기술)은 마스크(mask)상에 설계된 패턴을 웨이퍼 상에 구현하는 일종의 사진기술로서 마스크 형상을 웨이퍼에 전달하는 매체로 빔, 전자, 이온 등을 사용한다.
기판인 웨이퍼 위에 원하는 패턴을 구현하는 기술
2. 전통적인 리소그래피의 정의
리소
건조시킨다. 과정이 끝나면 photoresist를 roll coater 또는 spin coater를 사용하여 ITO 전면에 균일하게 도포한다. 이때 사용되는 PR의 두께는 설계된 소자특성에 따라 다르나 어떤한 경우에도 ITO glass 전면에 형성된 박막의 두께 균일도를 5% 이하로 유지하여야한다. 기판위의 PR film에 원하는 pattern의 photomask를 통
건조
④스스로 그린 Pattern을 기판위에 올려놓고 UV lignt를 노광(2.5초)
⑤PR을 제거하기 위해 Developer에 기판을 담그고, DI water로 세척
⑥세척후 Hard baking(130℃)에서 약 10분 정도 건조
⑦Cr etchant에 dipping하여 경과를 보면서 Cr을 제거
⑧제거 후 Pattern이 된 부분의 PR을 제거하기위해 Stripper에 dipping하여 제
식각장비(Dry Etcher)를 삼성전 자와 하이닉스에 공급하기로 하면서 반도체 분야로 사업 영역을 확대
- 건식 식각장비는 반도체 원판 위에 형성된 회로 이외에 불필요한 부분을 정밀하게 깎아 내는 기능
- 그동안 미국 어플라이드 머티리얼, 일본의 도쿄일렉트론(TEL) 등 글로벌 기업들이 독과 점해