결정질 부분이 완전히 용융되어 전류 path가 melt pool 에만 존재할 때 RESET 펄스를 끊으면 재료는 quenching 되고 비정질 상태로 남게 된다. 이때 완전히 용융되지 않았던 일부 결정 알갱이 (crystallite)들이 남게 되는데 이 결정 알갱이들은 SET 동작 시 conducting filament의 핵(nuclei) 으로 작용하여 빠른 결정화를 이
결정화 온도 (Tc) 이상으로 상승하면 결정화가 진행되며 전류의 경로는 conducting filament path와 성장한 결정화된 path 양쪽으로 흐를 것이다(b). 이에 따라 conducting filament 영역은 줄어들고 결정질 영역은 점점 성장하여(c) 결국 모든 전류는 결정질 path로만 흐르게 된다(d). 이후 SET 펄스를 끊으면 소자는 결정
1. 서론
미래의 AMOLED의 핵심은 AMOLED를 누가 가장 싸게 만드느냐의 싸움이 될 것으로 전망이 된다. 현재 SMD가 독주하는 AMOLED 산업에 LGD가 도전장을 내밀며 차후 8세대 AMOLED 생산에서 본격적인 경쟁이 시잘 될 전망이다. 삼성모바일디스플레이의 5.5세대 투자속도가 늦춰지는 가운데 LGD의 8G White OLED는 주
1. DRAM (Dynamic Random Acces Memory)
-동속호출 기억장치 또는 임의접근 기억장치라고도 한다. 컴퓨터의 기억장치로 많이 사용되는 메모리 반도체에는 랜덤 액세스 기억장치인 램(RAM)과 판독 전용 기억장치인 롬(ROM)이 있고, 램에는 일반적으로 동적 램인 디램과 정적 램인 에스램이 있다. 디램은 반도체 산업
결정화에서는 먼저 결정재료의 구조를 이해하고 결정의 핵생성 및 결정성장과정인 결정의 열역학과정을 이해하는 것이 중요하다.
2. 결정의 구조
1) 단위 셀(Unit Cell)
결정을 이루는 구조는 3차원적 구조의 공간적 배열을 이룬다. 결정 구조에서 결정질 구조와 비정질구조를 구분하는 원자 배열