1. DRAM (Dynamic Random Acces Memory)
-동속호출 기억장치 또는 임의접근 기억장치라고도 한다. 컴퓨터의 기억장치로 많이 사용되는 메모리 반도체에는 랜덤 액세스 기억장치인 램(RAM)과 판독 전용 기억장치인 롬(ROM)이 있고, 램에는 일반적으로 동적 램인 디램과 정적 램인 에스램이 있다. 디램은 반도체 산업
메모리는 모두 DRAM의 고집적성과 낮은 소비전력의 특선, Flash 메모리의 비휘발성, SRAM의 고속 동작을 결합하려는 시도들이 이루어지고 있다. 현재 비휘발성 차세대 메모리로 유력하게 대두되고 있는 소자는 PRAM(Phase Change RAM), NFGM(Nano Floating Gate Memory), ReRAM(Resistance RAM), PoRAM(Poly mer RAM) 등이 있으며, 그
메모리
M-RAM, F-RAM(또는 Fe-RAM), P-RAM은 기존의 DRAM에서 Refresh 동작을 없애고, 비휘발성을 실현하기 위해서 Capacitor에 다른 개념을 적용한 것이다. 먼저 M-RAM(자기 메모리)의 경우에는 자기(Magnetic)의 성질이 Spin Up, Spin Down 두 가지의 물리특성을 가진 것을 사용하는 것이다. 이러한 개념은 하드디스크에도 동
72핀 DIMM은 쌍으로 설치해야 한다.
DIMM은 비디오카드에서 비디오 메모리를 확장하기 위해 쓰이는 SDRAM이나 SGRAM확장용 메모리 모듈과 펜티엄 이상의 데스크탑 시스템에서 메인메모리로 사용하는 168(면당 84핀) DIMM등이 있다. 168핀 DIMM은 특별히 64비트의 데이터 버스를 지원하기 위한 것으로 최근
2. MRAM 기술
(1) 기본적인 구조 및 동작원리
MRAM(Magnetic RAM)은 플로피디스크나 하드 디스크와 같이 자기에 의해 데이터를 기억하는 메모리로서 스핀 의존 전기 전도에 의해 생기는 강자성 터널 자기저항 효과(Tunnel Magneto Resistance: TMR) 소자를 이용한 것이다.
TMR 소자는 그림 1과 같이 2개의 강자성층이 비