1. 서론
최근 반도체칩의 집적도는 무어의 법칙 (Moore's Law)를 넘어서 지난 26년간 용량은 3200배 정도로 증가했다. 다시 말해 고(高)메모리의 수요가 증가함에 따라 반도체 디바이스의 집적화가 요구되고 이른바 ‘나노 시대’가 도래하였다. 기존의 리소그래피(Lithography) 기술은 나노 사이즈의 패턴을
1. Photo Lithography
(1) 리소그래피 기술의 개요2-
(1)
리소그래피는 포토마스크 기판에 그려진 VLSI의 패턴을 웨이퍼 상에 전사하는 수단이다. 포토레지스트(감광성 수지)의 도포에서 시작되어 스테퍼(노광장치) 스테퍼(stepper) - p8 참조
에 의한 패턴의 축소투영노광, 현상을 거쳐 포토레지스트를
2. 금속이 전자를 방출하는 것은 쪼여준 빛의 진동수에 관계한다. 즉, 어떤 '한계 진동수'가 있어서, 그 보다 큰 진동수를 갖는 빛을 쪼일 때에만 전자가 방출된다. 이 한계진동수는 금속의 종류마다 다른 값을 갖는다.
3. 튀어나온 전자의 수는 빛의 세기(intensity)에 비례한다.
4. 튀어나온 전자의 운동에
리소그래피를 이용하여 100 nm 이하의 선 폭을 형성할 수 있는 수준에 이르렀다. 그러나 반도체 기술은 앞으로 더욱 작은 선 폭을 형성할 수 있는 리소그래피 기술을 필요로 할 것이다. 반도체 기술 발전 로드맵인 ITRS 2004에 따르면 2005년을 기준으로 45 nm의 선 폭을 형성하는 리소그래피 기술에서 매년 3~5
2.Phothlithography 과정
2. Optical-lithography의 한계
광 리소그라피(Optical lithography)는 지난 20세기 말경에 크게 발전하여 대용량 반도체(VLSI)의 미세회로가공에 적용되는 중요한 핵심기술로 발전하였다. Optical-lithography 1980년대 초에 고압 수은등을 이용한 G-선(436nm 파장) 자외선의 축소투영 노광장치(projectio