포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 처리할 수 있다.
1.2.Phothlithography 과정
2. Optical-lithography의 한계
광 리소그라피(Optical lithography)는 지난 20세기 말경에 크게 발전하여 대용량 반도체(VLSI)의 미세회로가공에 적용되는 중요한 핵심기술로 발전하였다. Optical-lithography 1980년대 초에 고압 수은등을
1.Photolithography
리소그래피는 포토레지스트를 도포하는 공정으로 시작해 노광, 현상, 에칭, 포토레지스트 제거에 이르는 일련의 프로세스이다. 현상까지를 레지스트 처리공정으로 하며, 에칭 공정과 분리해서 생각할 수도 있다. 현재, 패턴 노광은 레티클이라 불리는 마스크 기판에 의해 축소 투영 전
1. Photo Lithography
(1) 리소그래피 기술의 개요2-
(1)
리소그래피는 포토마스크 기판에 그려진 VLSI의 패턴을 웨이퍼 상에 전사하는 수단이다. 포토레지스트(감광성 수지)의 도포에서 시작되어 스테퍼(노광장치) 스테퍼(stepper) - p8 참조
에 의한 패턴의 축소투영노광, 현상을 거쳐 포토레지스트를
포토리소그라피의 미세화 한계점을 극복하고 도장 찍듯이 간단하게 나노 구조물을 제작할 수 있게 된다. 또한 현재 100nm급인 미세 공정이 10nm급으로 향상돼 반도체 분야의 기술 발전이 촉진될 것으로 여겨져, 특히 차세대 반도체 및 평판 디스플레이용 회로 형성 기술로 인정되고 있기도 하다.
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