Ⅰ. 개요
어떤 과학자들은 홀로그래픽기술이 사용자들이 요구하는 모든 저장장치들을 가져다 줄 것이라고 믿고 있다. 홀로그래픽 메모리시스템은 기록면에 데이터를 겹겹이 쌓아올릴 수 있도록 장려한다. 서로 다른 각 레이어들은 레이저광의 각도 변화에 따라서 데이터를 읽을 수 있다. 홀로그래픽
반도체 공급망 재편의 핵심 축으로 부상했다. 전기차와 자율주행차, 사물인터넷(IoT), 인공지능(AI) 등 첨단 기술 분야에서 필요로 하는 시스템 반도체를 생산해주는 파운드리 산업은 호황과 불황을 주기적으로 오가는 메모리 반도체와 달리, 향후 수년간 폭발적인 성장세를 이어갈 것으로 예상된다.
메모리를 말한다. 이 장에서는 휘발성 메모리로 알려진 주기억장치인 RAM은 메모리를 근원적으로 Byte 단위로 사용한다. 각각의 Byte에 주소(Address)를 부여하고 해당 주소 단위로 데이터를 저장하는 기능을 수행하는 방식을 사용한다. 이를 위해서 하드웨어적으로 Address Line을 구현하고 이 Line들을 통해서
2. FLASH MEMORY 개발 개요
미국 Intel이 1971년 일명 FAMOS(Floating gate Avalanche injection MOS)라 불리우는 부유 게이트 구조의 불휘발성 메모리(EPROM)를 처음 발표하였다. 이것은 자외선을 쪼여 축적된 데이터를 소거하는 방식을 취하고 있기 때문에 광 조사를 위한 창이 달린 패키지가 필요하며, 더욱이 사용장소에
메모리, 시스템 LSI 및 스토리지의 3개 주요 사업부로 구성되어 있으며, 오늘날 모바일, 데스크톱 및 기타 디지털 제품에서 광범위하게 사용되고 있는 칩 기술과 관련하여 많은 발전을 주도해 왔다.
메모리 사업부
디지털 정보를 저장하는 집적 회로를 설계하고 제조한다. 1992년 이후 꾸준히 성장해 온