메모리이다. 플래쉬메모리의 성능은 기억단위인 메모리 셀의 구조와 동작방식에 크게 의존하기 때문에 각종 회로기술이 연구되어 왔는데, 현재는 크게 NOR형과 NAND형이 주류를 이루고 있다.
플래쉬메모리가 시장에 처음 등장한 것은 1987년으로 그 역사가 매우 짧으며, 초기에는 Intel, AMD 등 미국업체
NAND 플래시라는 Data Storage계의 제품과는 분명히 구분짓는다.
5) 르네사스테크놀로지 : 르네사스테크놀로지는 프로그램 격납용 NOR형과 더불어 메모리 카드용 Data Storage용 AG-AND 등을 라인 업한다. 현재 주력은 Data Storage용 1~2Gb로 이행 중이다. 1년 전에는 월 5만개에 머물렀지만 04년 말에는 월 230만개로 끌
1. 비휘발성 메모리 기술 개요
모바일 및 디지털 정보 통신 산업, 가전 산업의 급속한 발달로 인하여 DRAM 일변도만으로는 수년 내에 국내 반도체 산업은 큰 위기를 맞을 수 있다. 그 이유는 현재 모바일, 디지털 환경에 대응하기 위해 DRAM이나 플래시 메모리(Flash Memory)를 논리소자와 결합시킨 embedded 메
메모리의 동작 특성에 대한 대표적 모델은 시카고 대학의 M. H. Cohen, Energy Conversion Devices사의 R. G. Neale, 퀸스컬리지의 A. Paskin 세 사람의 성 첫 글자를 딴 CNP 모델이다. 아래 그림은 SET 과정을 나타내는 그림이다. 비정질 상태의 소자에 전압을 인가하면 conducting filament 영역 형성과 함께 저 전도도 상태로 sw
플래시 메모리는 핸드폰, 디지털 카메라, 노트북 컴퓨터의 PC 카드, PDA, 보이스 레코더, 디지털 셋톱박스 등과 같은 다양한 장치들에 사용된다. 이처럼 다양한 디지털 제품 속에 들어있다는 플래시 메모리는 과연 무엇일까? 플래시 메모리가 어떤 기능을 하는지 감이 오지 않는다 해도 플래시 메모리의