2.3. Back contact
후면전극 물질로는 Sputtering법으로 증착된 Mo이 가장 광범위하게 사용된다. 이는 Mo이 가진 높은 전기전도도, CIGS와의 ohmic contact, Se 분위기 하에서의 고온 안정성 때문이다. Mo 박막은 전극으로서 비저항이 낮아야 하고 또한 열팽창계수의 차이로 인하여 박리현상이 일어나지 않도록
Substrate
비교적 저렴한 유리 기판으로 sodalime glass 사용
유리에서 확산된 Na이 태양전지의 효율을 증가시킴
Back contact
Sputtering법으로 증착된 Mo 사용
진공 상태에서 DC전압을 가하여 Radical이 존재하는 plasma 상태에서 기판에 증착
Sputtering 을 이용하여 Mo 위에 Cu-Ga/In으로 구성된 precursor
태양광, 태양열, 풍력, 수력, 바이오, 폐기물, 연료전지 등으로 나타낼 수 있다. 신재생에너지 세계시장은 연평균 20~30%로 급성장하고 있으며, EU는 유럽정상회의를 통해 2020년에 전체 에너지소비량의 20% 달성 목표로 하고 있다[2].
유럽 태양광 산업협회(European Photovoltaic Industry Association, EPIA)에 따르면 태
CIGS의 박막기술(국내 기술동향)
유기금속 기상성장 법(MOCVD)
→ 화학 기상 증착(CVD) 방법 중의 한가지로, 유기 금속 증기를 열 분해 반응시켜 기판상에 금속 화합물을 퇴적 증착 시키는 방법
→ 이원화합물 반도체의 성장에서 충분한 성능 입증 - 반도체 공정에서 상용화된 기술