소개글
[반도체공학] CIGS 박막 태양전지용 박막 증착 공정 및 장비에 대한 자료입니다.
목차
1.서론
필요성
시장 규모
2.본론 - CIGS 공정 및 장비
Substrate, back contact
Absorber layer
- Evaporation, precursor reactor
Buffer, Window, AR layer & Grid
3.결론
본문내용
Substrate
비교적 저렴한 유리 기판으로 sodalime glass 사용
유리에서 확산된 Na이 태양전지의 효율을 증가시킴
Back contact
Sputtering법으로 증착된 Mo 사용
진공 상태에서 DC전압을 가하여 Radical이 존재하는 plasma 상태에서 기판에 증착
Sputtering 을 이용하여 Mo 위에 Cu-Ga/In으로 구성된 precursor를 형성
Se를 흘려보내면서 1atm에서 기판의 온도를 400~600°C상승시키면 합금화가 일어나 CIGS가 형성