반도체에서 대부분의 chip은 단결정 웨이퍼에다 제작을 한다.
그러나 트랜지스터의 게이트는 다결정 실리콘으로 만든다. 그리고 DRAM의 저장용 커패시터는 비정질 실리콘으로 만들고 앞서 말한 LCD를 구동하는 트랜지스터도 보통 비정질 실리콘으로 제작하며 이것을 TFT-LCD라 부른다.
2절. 결정구조
공정, 이온주입 및 활성화 공정 등이 추가되어 공정비용 증가
- 공정의 균일성, 안정성 등이 문제
③고온폴리 실리콘 TFT LCD
- 기존의 반도체웨이퍼를 이용한 공정을 그대로 도입할 수 있기 때문에 TFT 소자의 특성이 양호 하면서도 안정되어 있다.
- 결정성이 양호한 poly-si 제작 가능
- 계면
빗대어 설명을 하면 실리콘 Wafer를 E-beam evaporator 내부 상단의 chamber에 장착을 하고 도가니에 증착하고 싶은 물질, 예를 들어 powder를 올린다. 이때 물질의 상태는 solid상태여야 한다. 내부를 진공으로 만들어 준 뒤 E-beam gun을 물질에 쏘아서 증발시켜 실리콘 wafer에 증착을 시키는 것이 원리가 된다.
1. 단결정 성장
특수 공정을 이용해 웨이퍼 위에 전자회로를 새긴 후, 웨이퍼 위 집적회로(IC)를 각각 절단하면 IC칩이 되는 것인데요,
여기서, 웨이퍼(Wafer)란 반도체 집적회로를 만드는 중요한 재료로, 실리콘(Si), 갈륨 아세나이드(GaAs) 등을 성장시켜 얻은 단결정 기둥(Ingot)를 적당한 지름으로 얇게