두께가 얇을수록 기울기가 전압이 증가함에 따라 기울기가 커져야 한다. 그리고 산화층의 두께가 얇을수록 터널링이 잘 일어나서 유전파괴가 더 잘 일어난다. 하지만 그래프에서 보면 300nm는 100nm, 200nm와는 다르게 대략 1V에서 유전파괴가 일어나서 전류가 흐름을 알 수 있다. 이를 통해 300nm의 capacitor는
에서 0V 이상일 때는 두께가 얇을수록 누설전류가 증가해 예상과 같은 결과가 나왔다. 하지만 0V이하일 때는 이론적인 값과 동일한 형태의 그래프가 그려지지만, 두께에 따른 경향성은 찾아볼 수 없다. 이 오차의 원인으로 생각해 볼 수 있는것은, breakdown voltage와 SILC(stress induced leakage current), 우리조의
1. 실험목적
MOScapacitor를 직접 제작하며 그 작동 원리를 이해한다. 또한 산화층(SiO2)의 두께(100nm, 200nm, 300nm)와 금속게이트(Au, Ti)를 변수로 하여 이들의 차이에 의한 C-V, I-V 그래프를 분석한 후 이를 바탕으로 산화층의 두께 및 금속게이트의 종류가 MOScapacitor에미치는영향을 분석한다.
2. 실험배경
MOScapacitor 이다.
3. 실험이론
그림 3.1.2 Capacitor
그림 3.1.1 MOScapacitor
3-1 Metal Oxide Semiconductor(MOS) CapacitorMOS란 Metal-Oxide-Semiconductor(금속-산화물-반도체)의 3중 구조를 말한다.
Metal-Insulator-Semiconductor(금속-절연체-반도체) 구조 중에서 가장 널리 이용된다. 실제로는 실리콘 기판위에SiO2 박막을
4.1 C-V 특성
그림 2 이상적 moscapacitor의 c-v그래프
이번 실험에서는 moscapacitor에 걸어준 전압 변화에 따른 커패시턴스 변화를 측정한다. 커패시턴스는 두 도체 사이에 저장되는 전하량을 의미하며 로 구할 수 있다. 이 식으로부터 실험변수인 산화막 두께 d 값이 5nm, 10nm, 15nm로 변함에 따라 전기용량