웨이퍼라는 얇은 판을 만든다. 그런 다음 태양 전지 구조에 필요한 불순물을 약1000도씨에서 확산법이라는 방법으로 첨가하여 p-n 접합을 만든다. 전기를 얻기 위해 전극을 형성한 후 마지막으로 빛의 반사를 최대한 막기 위해 반사 방지막을 형성한다. 그러나 이 제조공정은 복잡하고 제조 온도가 높아
공정, 이온주입 및 활성화 공정 등이 추가되어 공정비용 증가
- 공정의 균일성, 안정성 등이 문제
③고온폴리 실리콘 TFT LCD
- 기존의 반도체웨이퍼를 이용한 공정을 그대로 도입할 수 있기 때문에 TFT 소자의 특성이 양호 하면서도 안정되어 있다.
- 결정성이 양호한 poly-si 제작 가능
- 계면
1. 단결정 성장
특수 공정을 이용해 웨이퍼 위에 전자회로를 새긴 후, 웨이퍼 위 집적회로(IC)를 각각 절단하면 IC칩이 되는 것인데요,
여기서, 웨이퍼(Wafer)란 반도체 집적회로를 만드는 중요한 재료로, 실리콘(Si), 갈륨 아세나이드(GaAs) 등을 성장시켜 얻은 단결정 기둥(Ingot)를 적당한 지름으로 얇게
flow)로서 산소나 수증기 등의 반응기체는 운반기체(carrier gas)에 섞여 기체 혼합물로 공급되며, 웨이퍼 근처까지 도달한 이후에는 주로 기체 및 고체 상태 확산에 의해 물질 전달되어 진다. 열 산화 공정은 반응공학적인 측면에서 볼 때 전형적인 기체-고체 반응(gas-solid reaction) 시스템이라 할 수 있다.