석유, 석탄, 천연가스 등의 화석에너지 자원들은 고갈되고 있고, 시대가 지나면서 에너지 문제의 중요성은 더욱 증가되어 에너지 안보 문제가 심각하다. 우리나라는 2009년도 기준 에너지 해외 의존도가 약 96.2%로 세계 에너지 시장의 변화에 취약한 구조를 가지고 있다. 특히 중동 지역의 의존도가 2008년
실리콘을 보호
패드 산화물, 주입막 산화물 등
변수 : 온도, 압력, 건식과 습식, silicon의 결정방위, 도핑 준위
Model : Deal & Grove의 선형-포물선 모델<300 Å - 20,000 Å> 의 성장
150Å까지는 선형적인 산화층의 성장
X = (B/A)t
X : 성장 산화물의 Thickness
B/A : 선형 비례 상수
T : 성장시간
150Å이
반도체를 이용한 것들이 있다. 화합물 반도체 대부분은 직접천이형 광흡수를 보이기 때문에 결정 실리콘형과 달리 수 µm 정도만으로도 태양광을 충분히 흡수할 수 있어 박막화에 적합하다.
단결정 다접합 화합물 태양전지는 효율이 높은 반면 재료나 프로세스 비용이 많이 든다. 그래서 기존에는
반도체는 크게 구분하여 실리콘, 게르마늄(germanium) 등과 같은 Ⅳ족 반도체와 Ⅲ족과 Ⅴ족, 혹은 Ⅱ족과 Ⅳ족이 결합된 화합물 반도체로서 나눌 수 있다. Ⅲ-Ⅴ 화합물 반도체로는 GaAs, InP 등이 있으며, Ⅱ-Ⅳ 반도체로는 ZnSe, CdS 등을 들 수 있으나, InGaAsP 등과 같이 여러 가지의 원소가 동시에 결합된 화합
재료의 조합을 생각할 수 있지만, 대표적인 것으로는 GaInAs와 AlInAs 또는 Si와 Si-Ge가 있다. N형 반도체에 다량으로 포함되어 있는 전자는 계면 근처의 GaAs표면에 2차원적으로 고밀도로 존재할 수 있다. 이 전자는 GaAs표면을 따라 이동하지만, GaAs는 불순물을 포함하지 않는 고순도 결정이므로 불순물에 의