4. Dopant Barrier <불순물 장벽>
- 산화층이 실리콘 표면에서 성장하면 불순물 물질이 wafer로 들어가는 곳에 창을 생성시키기
위해서 Mask 개방으로 SiO2를 식각, 이때 산화물은 dopant의 확산으로부터
silicon의 표면을 보호.
- 선택적인 dopant의 도핑가능
5. 금속층 사이의 유전체
Oxide Semiconductor(MOS) Capacitor
MOS란 Metal-Oxide-Semiconductor(금속-산화물-반도체)의 3중 구조를 말한다.
Metal-Insulator-Semiconductor(금속-절연체-반도체) 구조 중에서 가장 널리 이용된다. 실제로는 실리콘 기판위에 SiO2 박막을 형성하고 그 위에 금속 전극을 배치한다. 이 구조를 접합구조로 한 MOS 다이오드, 전
실리콘 웨이퍼 위의 포토레지스트에 집중시켜 작게 비추도록 한다. 이와 같은 과정을 거쳐 집적 회로가 만들어지는데, 현재 포토리소그래피는 미세구조를 만들 수 있는 한계가 약 100 나노미터 선로 간격이다. 현재 이보다 더 작은 회로를 얻기 위해서는 다양한 기술이 개발되고 있지만, 많은 생산 비용
furnace cabinet), 웨이퍼를 공급해 주는 공급 준비실(load station), 그리고 컴퓨터 제어기(computer controller)로 구성된다. 현재 실리콘 IC의 제조에 많이 사용되고 있는 산화 반응기들은 8인치 웨이퍼를 한꺼번에 200장까지 처리할 수 있는 능력을 가지고 있다. 산화 반응기 중심부의 온도 균일도(uniformity)는 400 ℃에
furnace cabinet), 웨이퍼를 공급해 주는 공급 준비실(load station), 그리고 컴퓨터 제어기(computer controller)로 구성된다. 현재 실리콘 IC의 제조에 많이 사용되고 있는 산화 반응기들은 8인치 웨이퍼를 한꺼번에 200장까지 처리할 수 있는 능력을 가지고 있다. 산화 반응기 중심부의 온도 균일도(uniformity)는 400 ℃에