트랜지스터의 종류
-트랜지스터는 동작시의 전류방향으로 보아 크게 나누면, 컬렉터에 음의 전압을 걸어 사용하는 PNP형과 양전압을 걸어 사용하는 NPN형이 있으며, PNP형은 주로 게르마늄(Ge), NPN형은 주로 실리콘제의 경우가 많다.
- 종류는 대표적으로 BJT와 MOSFET, JFET이 있는데 이를 응용한 소자들 HBT, M
quantum mechanics의 전자구조효과를 적용하였다.
③ 1979, Dr.Mimira가 Bell 실험소의 Dr.Dingle에게 단서를 얻어 HEMT를 발명했다는 소문으로 인해 노벨상을 받지 못하였다.
④ 1980, 서독의 Dr.Klitzing가 프랑스의 Grenoble 연구 센터에서 낮은 온도와 높은 전자장이 노출된 환경에서 MOSFET의 이차원 전자가스를
전자 공업계에 상당한 충격을 주었다. 그로부터 전자 산업은 빠르게 발전하기 시작했으며 오늘날 일렉트로닉스 시대의 개막에 시초가 되었다. 그 후의 컴퓨터를 시작으로 전자공학의 급속한 발전은 우리의 생활을 편리하고 풍부하게 해 주었다. 트랜지스터는 당초 게르마늄이라는 반도체로
BJT에 비해 작은 공간을 차지하여 집적도를 높일 수 있으며, 다수 반송자 소자이기 때문에 소수 반송자 소자의 영향을 거의 받지 않는다. 또한, 저항이나 capacitor로 사용하기에 용이하고, 상보 소자를 형성할 수 있는 특징을 가지고 있다.
이번 실험에서는 486 CPU내에 있는 FET를 투과전자현미경을 통해
전자를 가지는 실리콘을 대체하면 빈 공간, 즉 양공이 공유전자 에너지띠에 생기게 됨) 반도체의 양공은 전자와 유사하게 움직이는데 양의 전하를 띠기 때문에 전자와는 반대방향으로 움직인다. 트랜지스터의 종류에는 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)와 전계 효과 트랜지스터(FET)가 있다. BJT는 2개의 p-n 접