트랜지스터의 종류
-트랜지스터는 동작시의 전류방향으로 보아 크게 나누면, 컬렉터에 음의 전압을 걸어 사용하는 PNP형과 양전압을 걸어 사용하는 NPN형이 있으며, PNP형은 주로 게르마늄(Ge), NPN형은 주로 실리콘제의 경우가 많다.
- 종류는 대표적으로 BJT와 MOSFET, JFET이 있는데 이를 응용한 소자들 HBT, M
Ⅰ. 미약생체신호
미국에서 미약 생체신호의 역할에 대해 처음으로 관심을 보이고 깊이 있는 연구를 수행한 사람은 예일대학교의 버르(Richard Burr) 교수이다. 그는 1930년대에 이미 전장의 미세한 변화를 측정하여 여성의 배란주기에 따라 극성의 변화가 있다는 것을 확인하였었다. 그의 연구결과는 1970
트랜지스터의 종류에는 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)와 전계 효과 트랜지스터(FET)가 있다. BJT는 2개의 p-n 접합으로 이루어져 있는데 전자와 양공이 전도과정에 관여한다는 점에서 쌍극성이며 입력전류에 따라서 출력전압이 쉽게 변화된다. 이러한 유형의 트랜지스터는 증폭기로 널리 사용되며 발진기,
① 터널 다이오드의 스위칭회로 ⇒ 동작점 Q와 두 번 교차하면 쌍안정, 한번 교차하면 단안정, 교차하지 않으면 비안정 회로. 그림 12-32 터널 다이오드의 동작 ㉠ 쌍안정 동작 (Q1 , Q2가 정저항 상태에 오도록 선정) 순서 : Q1 → A → B → Q2 → C → D ㉡ 단안정 동작 (정지점이 정저항상에 하나 존재) 순서 : Q
자유 전자가 drain쪽으로 이동하도록 한다.
즉, 전류는 source 쪽으로 흐른다.
Gate 는 ,P형 반도체로 이루어 지며 , P-N 접합이 형성된다. 이때 P-N 접합은 반드시 역방향 바이어스(reverse bias)가 되어야 한다.
순방향 바이어스(forward bias)가 되면 전류가 흐르므로 전계효과 FET 소자로서 기능을 갖지 못한다.