1. 실험목적:JFET 트랜지스터의 출력과 전달 특성을 구한다.
2. 내 용:p n 접합에 의해 절연된 게이트 전극이 전류 통로를 제어하는 전계 효과 트랜지스터 FET를 JFET(Junction Field Effective Transistor) 라고 합니다. JFET의 특징으로는 높은 입력 임피던스를 갖는 것입니다. JFET 에서는 Gate(가운데 다리)에 전압을
전압의 레벨에 따라 드레인-소스 간의 전류 흐름이 조절된다. FET의 두드러진 특성은 전압구동 소자라는 것과 전류흐름의 원인을 제공하는 전하캐리어가 전자 또는 정공의 한 종류뿐이라는 것이다. 이런 FET의 종류에는 제조방법에 따라 JFET, MOSFET, CMOSFET 등이 있고 그 특성과 응용법이 조금 다르다.
특성은 전압구동 소자라는 것과 전류흐름의 원인을 제공하는 전하캐리어가 전자 또는 정공의 한 종류 뿐 이라는 것이다. 이런 FET 의 종류로는 제조방법에 따라 JFET(Junction FET), MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FET), CMOSFET(Complementary MOSFET)등이 있고 그 특성과 응용법이 조금 다르다. 여기서는 대표적인 JFET에 대해
quantum mechanics의 전자구조효과를 적용하였다.
③ 1979, Dr.Mimira가 Bell 실험소의 Dr.Dingle에게 단서를 얻어 HEMT를 발명했다는 소문으로 인해 노벨상을 받지 못하였다.
④ 1980, 서독의 Dr.Klitzing가 프랑스의 Grenoble 연구 센터에서 낮은 온도와 높은 전자장이 노출된 환경에서 MOSFET의 이차원 전자가스를
전기적 특성 제어를 통해 근본적으로 해결해야 할 필요성이 있어 아직도 활발하게 연구되어지고 있는 분야이다.
우리나라의 전자산업 중에서 부품산업의 비중은 대략 50%정도로 상당히 큰 비중을 차지하고 있으나 그 대부분은 메모리 반도체가 차지하고 있어서 수동부품의 경쟁력은 상당히 취약