To prevent silicon from agglomerating
→ should cool the solid quickly
Rapid cooling
→ large thermal gradient in crystal
Postulate K=20W/m K
Diameter of wafer: 10-20 cm
L (latent heat of fusion) = 340 cal/g
Temperature gradient in silicon CZ (dT/dx) : 100°C/cm
단결정 실리콘의 성장을 위해 성장기 내부에 다결정 실리콘 원료를 넣고 얻어지는 실리콘이 적절한 전기적 특성을 나타내도록 하기 위해 정해진 양의 도펀트를 첨가한다. 성장기를 밀봉한 후에 적당한 기체의 흐름과 압력을 유지하고 다결정 실리콘을 용융시켜 실리콘이 완전히 녹으면 성장기의 온도
Light Emitting Diode(LED) Process Design
- Team Project Report(Group12)
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅰ. LED
LED(Light Emitting Diode)는 반도체에 전압을 인가할 때 생기는 발광현상을 이용한 광원이다. 전기를 통해주면 전자가 에너지 레벨이 높은 곳에서 낮은 곳으로 이동하면서 특정한 파장의 빛을 내는 화합물 반도체에