[반도체] Zchochralski Growth method

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레포트 > 공학계열
2010.04.26
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소개글

[반도체] Zchochralski Growth method에 대한 자료입니다.

Process before Cz Growth

Energy flow in Czochralski system

Thermal conductivity of slicon

Heat profile in the chamber of CZ system

Maximum pull rate(Vmax)

Schematic and Photograph of Czochralski system

Czochralski crystal growth of silicon basic step

Finished Crystal Parts

본문내용

To prevent silicon from agglomerating
→ should cool the solid quickly
Rapid cooling
→ large thermal gradient in crystal

Postulate K=20W/m K
Diameter of wafer: 10-20 cm

L (latent heat of fusion) = 340 cal/g
Temperature gradient in silicon CZ (dT/dx) : 100°C/cm

참고문헌

The science and Engineering of Microelectronic Fabrication –Stephan A. Campbell – Oxford
Transport Phnomena –R.Btron Bird – Wiley

Web site
http://www.bsu.edu/web/twstackhouse/microchip/
http://en.wikipedia.org/wiki/Latent_Heat
http://home.manhattan.edu/~mohammad.naraghi/crystal/crystal.html

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