Doping; Counter-doping, Shallow Junction 형성 등을 위한 이온 주입
⇒ 반도체 제조 공정의 50% 이상이 플라즈마를 활용한 공정임.
Electrostatic E-Field
Coupling of ion energy & ion flux
high pressure operation
low ion density (~1E9/cm3)
Inductive E-Field
Decoupling of ion energy & ion flux
High density ion flux (~1E11/cm3)
low pressure operation
1 서론
OLED는 현재 차세대 디스플레이 소자로 각광을 받고 있다. OLED의 경우 공정이 쉽고 공정 가격이 싸기 때문에 가격적이 면에서도 유리하다. 또한 특성이 좋고 organic물질의 경우 flexible한 장점을 가지고 있어서 나중에 flexible display로서의 가능성을 가질 수 있다. 그래서 OLED의 기술 개발이 필요하다
공정, 이온주입 및 활성화 공정 등이 추가되어 공정비용 증가
- 공정의 균일성, 안정성 등이 문제
③고온폴리 실리콘 TFT LCD
- 기존의 반도체 웨이퍼를 이용한 공정을 그대로 도입할 수 있기 때문에 TFT 소자의 특성이 양호 하면서도 안정되어 있다.
- 결정성이 양호한 poly-si 제작 가능
- 계면
센서를 공격하면 다소 데이터 상실이 생길 가능성이 있고 이미지의 밝은 영역뒤에 줄무늬를 방치한다. 네번째, 비용이다. CCD는 다른 컴퓨터 칩들과 별개의 제조 공정이 필요하기 때문에 특정 CCD제작 공장이 필연적이다.
CCD의 중요한 특성 중에 하나는 다음과 같다. 전부 다의 전하를 하나의 well