Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition); SiON 등의
유전막 증착
6. Barrier Metal PE-CVD; TiN 등의 Barrier Metal 증착
7. Si treatment; Contact 저항 등의 개선을 위한 표면 처리
8. Plasma Doping; Counter-doping, Shallow Junction 형성 등을 위한 이온 주입
⇒ 반도체 제조 공정의 50% 이상이 플라즈마를 활용한 공정임.
Electrost
Plasma 중의 양이온이
Plasma sheath를 통해 가속되게
함으로써 Planar 방식에 비해 이방성
식각 특성을 향상시킨 구조이다.
평판 반응조 내의 유효면적을 늘리기 위해 중성 전극이 챔버 벽에 붙어 있음
플라즈마와 전극 사이의 전위차를 크게 해 주어 이온 충돌 세기 증대
RIE Apparatus
PlasmaEtching s
(4) Double patterning
The double patterning is divided into four parts, leading with wafer requirements and then two sets of lithographic requirements (Generic Pitch Splitting - Double Patterning Requirements Driven by MPU metal Half-Pitch and Generic Spacer Patterning Requirements - Driven by Flash). The lithography requirements are different for each process; the requirements for pitch splitti
Figure 13 shows that cryo pump is cooling pump. It means this pump is cooling, liquefaction and store air, not pumping. Generally, it has 3 processes like condensation, absorption and trap at low temperature. The cooled air or molecules do not have any momentum so it is no possibility to heat any molecules. It means vacuum.
Cryo pump have High emission velocity and high emission capacity so it