Plasma Doping; Counter-doping, Shallow Junction 형성 등을 위한 이온 주입
⇒ 반도체 제조 공정의 50% 이상이 플라즈마를 활용한 공정임.
Electrostatic E-Field
Coupling of ion energy & ion flux
high pressure operation
low ion density (~1E9/cm3)
Inductive E-Field
Decoupling of ion energy & ion flux
High density ion flux (~1E11/cm3)
low pressure opera
, 열악한 환경에서도 데이터를 안정적으로 보존할 수 있다. 또한 Gb급 이상의 초고집적화가 가능할 것으로 예상되며, 다양한 논리소자와 인터페이스가 가능함으로써 모바일 및 디지털 정보 통신 산업, 가전분야에서 이상적인 메모리로 각광받고 미국, 일본, 유럽에서 활발하게 연구가 진행되고 있다.
마이크로 머신, 평판 디스플레이 등과 같은 다양한 소자의 제조에 그대로 적용될 수 있어서 그 응용범위가 점차 확대되고 있다.
특히 반도체 디바이스의 물성을 결정짓는 중요한 요소 중의 하나가 반도체 박막증착기술이며, 따라서 양질의 막을 생성하기 위한 박막 생성 및 제어 기술이 강하게 요구된
업체가 있음
* 에피·칩 : 삼성전기, LG이노텍, 효성, 서울옵토디바이스, 에피밸리 등 13개
* 패키징·모듈 : 서울반도체, 일진반도체, 대진DMP, 루미마이크로 등 80개
그림 국내 LED 산업 Supply chain (대신증권, 2009.02)
* LED 조명 : 남영전구, 아토디스플레이, 럭스맥스, KDT, 화우테크놀로지 등 360개