Ⅰ. 로마자표기법의 변천
물론 19세기 이전에도 우리말 로마자화의 기록이 개별적으로 있어 왔으나 체계적인 표기법의 출현은 대개 19세기 초반으로 보고 있다. 1832년에 당시 일본 정부의 고문이었던 독일인 의사 지볼트(Phillip Fr. von Siebold)의 안으로부터 시작하여 1920년대까지 약 27개 안이 발표된 것
Si (111) XRD 피크가 급격히 증가하고 그레인의 크기 분포가 일정하지 않다. 그레인의 크기는 465 mJ/cm2 의 경우에 최대가 된다(그림 2-1(c)). 그리고 레이저 에너지 밀도가 증가하면 그레인 크기가 급격하게 감소하게 된다. 그림 2-1(d)의 경우에는 그레인의 크기가 매우 작게 나타나고 있다. 다결정 실리콘 박막
Si와 Si-Ge가 있다. N형 반도체에 다량으로 포함되어 있는 전자는 계면 근처의 GaAs표면에 2차원적으로 고밀도로 존재할 수 있다. 이 전자는 GaAs표면을 따라 이동하지만, GaAs는 불순물을 포함하지 않는 고순도 결정이므로 불순물에 의한 산란이 적다. 따라서 GaAs에서는 전자가 이동하기 쉬운 정도를 나타내
KimSi-min, who bravely fought against the Japanese army at Jinjuseong Fortress, and admiring the strategic brilliance of Admiral Yi Sun-sin, who triumphed with only 12 ships against a massive Japanese fleet at the Battle of Myeongnyang, filled me with awe and respect for these historical figures.
The courage and wisdom displayed by these historical figures were truly inspiring, and it made me