To prevent silicon from agglomerating
→ should cool the solid quickly
Rapid cooling
→ large thermal gradient in crystal
Postulate K=20W/m K
Diameter of wafer: 10-20 cm
L (latentheat of fusion) = 340 cal/g
Temperature gradient in silicon CZ (dT/dx) : 100°C/cm
했다. 관측 data는 연세대학교 KOFLUX 연구팀의 광릉수목원 타워에서 관측 된 data를 이용하기로 결정했으며, 김준 교수님과 김정심 조교님을 통해서 2003년의 관측 data를 전달받았다.
팀 프로젝트의 목적은 우선 전반기 강의에서 배웠던 내용을 실제 data의 분석 과정을 통해 확실히 이해하는 것에 있다.
1. Plot the 1-D temperature profile with analytical solution
(temperature vs fin length)
1) Analytical Solution
Fin의 미소면적에 대해 대류에 의한 열의 손실을 고려하여 열전달식을 세워 보면,
---------- (1)
한편 미소변화량은 다음과 같이 나타낼 수 있다.
---------- (2)
(1), (2)에서
heat generation or loss
열의 발생이나 손실이 없고, 단면적이 길이 에 따라 일정하기 때문에 heatflux는 일정하다. 따라서 다음의 미분방정식이 성립한다.
여기서 가 에 관계없는 상수라고 가정하면 는 다음과 같이 의 함수로 나타낼 수 있다.
, * Boundary conditions
따라서 다음의 간단한 열전
heat-transfer coefficient)
직렬 고체층을 통과하는 열속 (heatflux)은 구동력, 즉 총괄 온도차 ΔT에 비례한다.
열 교환기에서 구동력은 Th-Tc로 택할 수 있다. 여기서 Th는 뜨거운 유체의 온도이고, Tc는 찬 유체의 온도이다.
Th-Tc항을 총괄 국부 온도차 (overall local temperature difference)ΔT이다.
그림 1에서와 같이