도입하고, 고체산을 새롭게 sol-gel 법으로 합성하여 세정제로 쓰겠습니다.)
반도체 세정공정
1) 웨이퍼 세정
Wafer의 표면 상태를 Control 하는 공정
- 양질의 산화(Oxide)막 증착을 위한 자연 산화막의 제거
- Nitride 막의 제거
- 잔류 금속의 제거
- Organic 제거, 파티클 제거
- Surface Micro Roughness Control
instrument composition
-Electric furnace
Temperature range:
25°C~1500°C
Heat speed :
Maximum 200°C/min
*Separate Electric furnace and other system like Electronic scale
-Because Electric furnace temperature is very high
so we need to protect other system.
instrument composition
-Electric furnace
Temperature range:
25°C~1500°C
Heat speed :
Maximum 200°C/min
*N
그렇다면 저희가 이해하려는 졸겔법의 졸은 무엇이고 겔은 무엇인지에대해 말씀드리겠습니다.
Sol은 액체 중에 콜로이드입자가 분산하고 유동성을 가지고 있는 물질을 말합니다.
예를 들어 피, 색소잉크 같은 물질이 바로 sol 의 일종입니다.
(여기서 잠깐 콜로이드의 개념에 대해 짚어보면, 보통의
실험목적
Organic Material을 이용하여 Semiconductor Layer와 Dielectric Layer를 증착시켜 봄으로써 Organic TFT 제작 공정을 이해한다.
VT, Mobility, On-off ratio를 통해 제품 특성을 평가하고 유기물과 무기물로 증착한 Dielectric Layer의 차이를 비교해 볼 수 있다.
Pentacene (C22H14)
- Melting point : 300 ℃
- Boiling poi