제목: 오존수와 고체산(sol-gel법)을 이용한 웨이퍼세정
문제제기: .기존 RCA법의 요염물 다량 배출(H202, DI water 및 HCl)
기존 RCA법에서 고가 운영비(과산화수소 처리공정, 높은 온도유지)
.반도체가 점점 작아지면서 미세한 오염물 제거의 필요성
지표면 오존의 심각성(오존주의보)
세정에서 RCA 세정법을 대체 할 친환경 & 고기능 세
정제 및 공정 개발 (고체산 + 오존수 2단계 공정)
반도체 세정 공정
웨이퍼세정
-Wafer의 표면 상태를 Control 하는 공정
- 양질의 산화(Oxide)막 증착을 위한 자연 산화막의 제거
- Nitride 막의 제거
- 잔류 금속의 제거
- Organic 제거, 파티클 제거
웨이퍼는 단결정이기 때문에 웨이퍼 전체가 동일한 단위 셀들이 규칙적으로 배열된 구조를 가진다. 이러한 규칙적인 결정구조를 가지는 실리콘의 결정의 방향성을 표시하는 방법으로 밀러지수(Miller index)가 주로 사용된다. 실리콘의 구조는 입방 구조이기 때문에 단위 셀은 정육면체로 표시되며 이러
산화 등의 공정 전에 행하여지는 것으로 "후처리","전처리"라 불리기도 한다. 이공정은 여전히 약액을 사용하는 웨트 처리가 중심으로 ,RCA 세정의 경우는 H2SO4, HCI, NH4OH, HF, H2O2 등의 약액 조합에 의해 처리된다. 웨이퍼 세척과 반도체 공정에 전반적으로 사용되는 중요한 화합물이 Di water이다. Di water는 이
신뢰성은 크게 떨어지게 된다.두 번째 이유는 광선을 이용해서 나노 크기의 회로를 만들려면 현재보다 훨씬 짧은 파장의 빛을 사용할 수밖에 없는데 기술적으로 가능은 하나 막대한 비용이 든다는 사실이다. 이러한 한계점 때문에 기존의 포토리소그래피에서 발전시킨 방법을 개발하고 있는데 여러