![[화학공학] 오존수와 고체산(sol-gel법)을 이용한 웨이퍼 세정-1](http://images.happyhaksul.com/thumb/205/204359-0001.gif)
![[화학공학] 오존수와 고체산(sol-gel법)을 이용한 웨이퍼 세정-2](http://images.happyhaksul.com/thumb/205/204359-0002.gif)
![[화학공학] 오존수와 고체산(sol-gel법)을 이용한 웨이퍼 세정-3](http://images.happyhaksul.com/thumb/205/204359-0003.gif)
![[화학공학] 오존수와 고체산(sol-gel법)을 이용한 웨이퍼 세정-4](http://images.happyhaksul.com/thumb/205/204359-0004.gif)
![[화학공학] 오존수와 고체산(sol-gel법)을 이용한 웨이퍼 세정-5](http://images.happyhaksul.com/thumb/205/204359-0005.gif)
![[화학공학] 오존수와 고체산(sol-gel법)을 이용한 웨이퍼 세정-6](http://images.happyhaksul.com/thumb/205/204359-0006.gif)
![[화학공학] 오존수와 고체산(sol-gel법)을 이용한 웨이퍼 세정-7](http://images.happyhaksul.com/thumb/205/204359-0007.gif)
![[화학공학] 오존수와 고체산(sol-gel법)을 이용한 웨이퍼 세정-8](http://images.happyhaksul.com/thumb/205/204359-0008.gif)
![[화학공학] 오존수와 고체산(sol-gel법)을 이용한 웨이퍼 세정-9](http://images.happyhaksul.com/thumb/205/204359-0009.gif)
![[화학공학] 오존수와 고체산(sol-gel법)을 이용한 웨이퍼 세정-10](http://images.happyhaksul.com/thumb/205/204359-0010.gif)
![[화학공학] 오존수와 고체산(sol-gel법)을 이용한 웨이퍼 세정-11](http://images.happyhaksul.com/thumb/205/204359-0011.gif)
![[화학공학] 오존수와 고체산(sol-gel법)을 이용한 웨이퍼 세정-12](http://images.happyhaksul.com/thumb/205/204359-0012.gif)
![[화학공학] 오존수와 고체산(sol-gel법)을 이용한 웨이퍼 세정-13](http://images.happyhaksul.com/thumb/205/204359-0013.gif)
![[화학공학] 오존수와 고체산(sol-gel법)을 이용한 웨이퍼 세정-14](http://images.happyhaksul.com/thumb/205/204359-0014.gif)
![[화학공학] 오존수와 고체산(sol-gel법)을 이용한 웨이퍼 세정-15](http://images.happyhaksul.com/thumb/205/204359-0015.gif)
![[화학공학] 오존수와 고체산(sol-gel법)을 이용한 웨이퍼 세정-16](http://images.happyhaksul.com/thumb/205/204359-0016.gif)
![[화학공학] 오존수와 고체산(sol-gel법)을 이용한 웨이퍼 세정-17](http://images.happyhaksul.com/thumb/205/204359-0017.gif)
![[화학공학] 오존수와 고체산(sol-gel법)을 이용한 웨이퍼 세정-18](http://images.happyhaksul.com/thumb/205/204359-0018.gif)
![[화학공학] 오존수와 고체산(sol-gel법)을 이용한 웨이퍼 세정-19](http://images.happyhaksul.com/thumb/205/204359-0019.gif)
![[화학공학] 오존수와 고체산(sol-gel법)을 이용한 웨이퍼 세정-20](http://images.happyhaksul.com/thumb/205/204359-0020.gif)
분야
doc-문제제기:
-목표
-반도체 세정공정
-RCA법(전통적 세정법)원리와 문제점
1. SC1 (Standard Clean-1, APM)
2. SC2 (Standard Clean-2, HPM)
-대체 공정 : 2단계 ( 고체산 + 오존수 )
- 고체산 합성방법 연구
-고체산을 통한 세정 mechanism 및 공정
(1) 오존 포집기 개발 (오존포집 및 오존수 합성)
-분석(세정력,경제적,환경적)
1-(TXRF)Total reflection X-ray fluorescence spectrometer
2-(AFM) Atomicforce microscopy
3-(XPS)X-ray photoelectron spectroscopy
4-(FT-IR)Fourier transform infrared spectrometer
5- (AES)Auger electron spectroscopy
-우리 공정의 장점 및 단점
-결론
문제제기: .기존 RCA법의 요염물 다량 배출(H202, DI water 및 HCl)
기존 RCA법에서 고가 운영비(과산화수소 처리공정, 높은 온도유지)
.반도체가 점점 작아지면서 미세한 오염물 제거의 필요성
지표면 오존의 심각성(오존주의보)
목표
웨이퍼 세정에서 파티클 및 유기물을 제거 함에 있어서 RCA세정 공정을 오존수와 고체산(sol-gel)의 2단계 공정으로 대체 함으로써 친환경 고기능 세정제 개발을 통한 대기오염과 수질오염 방지를 목표로 한다.
(기존에 있는 오존수를 좀더 개선하여 공정에 도입하고, 고체산을 새롭게 sol-gel 법으로 합성하여 세정제로 쓰겠습니다.)
반도체 세정공정
1) 웨이퍼 세정
Wafer의 표면 상태를 Control 하는 공정
- 양질의 산화(Oxide)막 증착을 위한 자연 산화막의 제거
- Nitride 막의 제거
- 잔류 금속의 제거
- Organic 제거, 파티클 제거
- Surface Micro Roughness Control
