Deposited SiO2 by PECVD
Isolation process
○ Photolithography
PR
SiO2
N-type
Si
N-type
⦁Deposit photoresist on SiO2.
SiO2
N-type
Si
N-type
⦁Expose UV light. The part of unexposed removes because of negative PR.
○ Wet etching
SiO2
N-type
Si
N-type
SiO2
⦁SiO2 that does not have PR
wet oxidation)법으로 구분되는데, 반응기체로 순수한 산소를 사용하는 경우를 건식 산화라 하고, 산소와 수증기의 혼합물을 사용하는 경우를 습식 산화라 한다.
열 산화 공정은 일반적으로 수평 원통형 전기로 반응기에서 진행되고, 이때 반응기 시스템은 크게 네 부분 즉, 반응 기체들을 보관하고 공급
1) 산화공정(Oxidation)
열 산화법은 산화층 내부와 SiO2/Si 계면에 결함을 거의 생성시키지 않는 방법으로서 우수한 특성의 절연막을 형성시킬 수 있는 기술이다. 이 기술은 산화 반응에 사용되는 기체의 종류에 따라 건식 산화(dry oxidation)법과 습식 산화(wet oxidation)법으로 구분되는데, 반응기체로 순수한
① Geology and reserves
이 필드는 두 곳의 저장소에 180million barrels의 오일이 있다고 평가된다. Sag River reservoir의 깊은 곳에서는 경유가, Schrader Bluff reservoir의 얕은 곳에서 점성이 있는 오일이 있다.
② Field development
필드의 초기 운영자인 Kerr-McGee는 2004년부터 2007년까지 8곳의 유정을 시추했다. 이러한 초
2-2. ICP
1) ICP 정의
아르곤(Ar)을 플라즈마 가스로 이용하여 고주파 발생기로부터 발생된 주파수(2.45GHz) 영역에서 유도코일에 의해 발생된 플라즈마 발생소스에는 평판형(planar)(와선형), 나선형(helical)(실린더형)
이 있다.
2) ICP의 원리
Coil에 고주파 가하면 자기장 발생
챔버 주위로 원형의