[미생물학] Oxidative - Fermentative Test (HUGH AND LEIFSON) 외 3가지 실험
1. Oxidative - Fermentative Test (HUGH AND LEIFSON)
2. Esculin Hydrolysis Test
3. Salt Tolerance Test
4. Tinsdales' Agar(as Modified by MOORE AND PARSONS)
1. Oxidative - Fermentative Test (HUGH AND LEIFSON)
Ⅰ. 원리
saccharolytic 미생물은 glucose를 발효적으로 또는 산화적으로 분해
Oxide 제조 공정
1.1. 공정개념도
1.1.1. 공정개념도
ethylene glycol
그림 . EO 제조 공정개념도
1.1.2. 운전 조건
가. 온도 : 250 °C , 촉매 : 금속 은 , 압력 : 1-2 MPa
나.이론적 수율 = 6/7 (85.7%)
다. 산업적 조건에서의 수율 = 83~84%
위와 같은 부반응으로 온도가 높아지면 수득률이 떨어지
4. Dopant Barrier <불순물 장벽>
- 산화층이 실리콘 표면에서 성장하면 불순물 물질이 wafer로 들어가는 곳에 창을 생성시키기
위해서 Mask 개방으로 SiO2를 식각, 이때 산화물은 dopant의 확산으로부터
silicon의 표면을 보호.
- 선택적인 dopant의 도핑가능
5. 금속층 사이의 유전체
I. Summary
우리는 가장 먼저 프로젝트를 본격적으로 수행하기에 앞서 배정받은 물질인 Ethylene Oxide의 Pure Compound로서의 기본적인 특성들과 더불어 실제로 우리가 물질을 다루는데 있어서 필요한 합성방법과 취급 안정성에 대해 조사함으로써 실제 실험 시 필요한 기본적인 정보를 취합 정리해 보았다.
3. a-IGZO기반
Oxide
TFT문제점
채널층에서 발생하는 문제
① 대기 중 산소나 수분과
금속의 자유전자가 반응
=> 자유전자 감소
② 빛에 의해 정공이 생성 됨
=> 정공 증가
↓
전기특성 신뢰도 감소
Transistor Switching 원리
채널이 형성되어
Source와 Drain간에
전류가 흐르기