effects forward bias station. Figure 3.21a the reverse bias (metal and a negative voltage between the N-type semiconductors) shows the case of . N-type semiconductor with a negative voltage applied to the metal and the amount of which is the semiconductor Fermi level above the Fermi level indicates the presence of
Reverse bias to the semiconductor energy barrier for the electron to increase t
1. 실험제목
열전자 방출 (Tube Diode)
2. 실험목적
1) Edison effect (에디슨 효과) - 열전자 방출 을 확인한다
2) Schottky effect(쇼트키 효과) 를 확인한다
3. 관련이론
1) Edison effect
가열된 금속이나 금속산화물 반도체 표면에서 전자가 방출되는 현상.
열에 의해 에너지를 얻은 전자가 진동에너지에 의
[ IC 계열별 특징 ]
논리게이트는 세 가지의 디지털 집적회로의 기술에 의해 구현된다. 그 중에서 CMOS와 TTL기술이 가장 많이 쓰이며, ECL기술은 좀 더 전문적인 응용분야에 사용된다.
CMOS는 complementary metal oxide semiconductor의 약자이며 FET(field – effect transistors)를 이용하여 구현한다.
TTL은 transistor
Effect Transistor)이 반도체산업의 중심에 서있다. 이러한 MOSFET의 바탕이 되는 MOS를 이용한 capacitor 즉 MOS capacitor는 유전체로써 oxide를 사용하였기 때문에 붙여진 이름이며 이번 실험에서 제작할 소자이다. 전기신호의 증폭과 스위칭을 가능하게 한 Transistor의 기능에 가장 근본적인 원리를 설명하여 줄 수 있