층)와 금속층을 쌓아서 얻어진다. SiO2가 유전체(dielectric) 물질이므로 평행판축전기(두 개의 도체판으로 구성된 축전기)의 두 금속 전극 중에서 하나를 반도체로 대체한 것과 같은 구조이다.
(2) P-type MOS
P-type MOS란, 전하를 옮기는 캐리어로 정공(양의 전하를 가진 전자와 같은 거동을 하는 가상 입자, H
위칭을 가능하게 한 Transistor의 기능에 가장 근본적인 원리를 설명하여 줄 수 있는 것이 MOScapacitor 이다.
3. 실험이론
① Capacitor(커패시터)
커패시터란 두개의 도체판을 절연물질(Insulator)을 중간에 두고 맞대어 놓은 구조물이다. 커패시터의 한 도체판에 전압이 인가되어 잉여의 전자가 존재하게
제작된다. 박막 증착이란 이름 그대로 표면에 얇은 막을 씌우는 기술을 뜻하는데 이 공정을 통해 기판(substrate)이나 이전에 증착된 층에 재료의 얇은 막을 씌워 올린다. MOS의 경우에는 silicon(반도체) 위에 oxide(산화물, 유전체) 그리고 그 위에 metal을 올리는 것이다. 이러한 공정의 종류와 방법은 주로 화
전자선의 집속에 의해 국부적인 고온을 얻을 수 있어 고순도의 박막형성이 가능하고, 고융점 금속을 포함한 모든 재료에 적용할 수 있다. 또한 증착속도가 빠르며 multiple deposition이 가능하다. 그러나, 단점으로는 E-beam이 금속과 부딪히면서 X-ray가 발생되어 기판을 손상시킬 수 있다.
이번 실험에 빗대
위에 박막 증착이 가능하다. 또한 3인치 웨이퍼의 경우 1회에 2장을 동시에 금속 증착을 할 수 있다.
열증착법 (Thermal evaporation)의 특징은 간단히 말해서 열을 올려 증착시키는 방법이 특징이다. 본 실험에서 사용한 thermal evaporator가 바로 이 증착법을 사용했으며, thermal evaporation은 이름 그대로 증착 할 금