실험에서 제작할 소자이다. 전기신호의 증폭과 스위칭을 가능하게 한 Transistor의 기능에 가장 근본적인 원리를 설명하여 줄 수 있는 것이 MOS capacitor 이다.
3. 실험이론
그림 3.1.2 Capacitor
그림 3.1.1 MOS capacitor
3-1 Metal Oxide Semiconductor(MOS) Capacitor
MOS란 Metal-Oxide-Semiconductor(금속-산화물-반도체)의 3
실험적인 데이터를 통해 계산한 후 실제 값과 비교하여 본다.
1-2 배경 이론
1-2-1 MOS Capacitor
그림 1.1 Capacitor
그림 1.2 MOS capacitor
Capacitor(축전기)란 전기회로에서 전기용량을 지녀 전하를 축적시키는 소자를 지칭한다. MOS Capacitor란 Metal-Oxide-Semiconductor(금속-산화물-반도체)의 3중 구조를 말한
실험에서 사용한 증착법은 전자빔 증착법이다.
전자빔 증착법은 박막을 증착시킬 때, 증착시키고자 하는 물질을 소결하거나 녹여 고체 상태로 제조하고 전자빔을 쏘아 휘발시켜 기판에 증착시키는 방법이다. 이 때, 증착시키려는 물질이 기체 상태로서 증착되는 것이기 때문에 진공상태의 분위기에
실험이론
① MOS Capacitor
(a) MOS Capacitor의 구조
MOS capacitor의 구조
MOS는 Metal-Oxide-Semiconductor의 약자로, 금속 층과 반도체 물질로 되어 있는 두 개의 전극 사이에 절연체 역할을 하는 산화막이 들어있는 구조이다. 이러한 반도체 물질로, 원소 주기율표 4족에 속해있는 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 탄소(C)
금속게이트(Au, Ti)를 변수로 하여 이들의 차이에 의한 C-V, I-V 그래프를 분석한 후 이를 바탕으로 산화층의 두께 및 금속게이트의 종류가 MOS capacitor에 미치는 영향을 분석한다.
2. 실험배경
인류는 집적회로(Integrated circuit; IC)의 개발로 많은 수의 Transistor, Capacitor등이 한 개의 반도체 Chip안에 집적화