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분야
hwpⅠ. 제목
Ⅱ. 실험목적
Ⅲ. 실험 예약 현황
Ⅵ. 이론적 배경
Ⅶ. 실험 방법 및 순서
Ⅷ. 시료의 제작(성장 중심으로)
Ⅸ. 결과의 예상 및 토의
1. BaTiO3 의 특성
가장 대표적인 압전소자이다.
PZT 계와 더불어서 가장 많이 쓰이고 오래된 압전소자
퀴리 온도는 약 393K에서 형성되고, 이 온도 부근에서 BaTiO3의 압전성이 가장 두드러진 다.
전기 에너지를 기계 에너지로 전환하는 척도가 되는 K 값은 대체로 0.3~0.4 정도이다.
물에 녹지 않고 열에 매우 강하다.
Ba와 Ti의 몰비가 1,000 에 가까울 수록 순도가 높은 BaTiO3 를 생산 할 수 있다.
또한 이러한 페로브스카이트 구조는 자발적인 분극 현상을 가지고 있다.
일반적으로 육방정계는 두 개의 TiO6 그룹이 면을 공유하여 Ti2O9 그룹을 형성하므로 Ti2O9 에 존재하는 Ti 원자들은 서로 강하게 반발하여 분극현상이 나타난다.
이러한 자발적 분극 현상은 외부 전장에 의해 반전시킬 수 있어 BaTiO3는 강유전체가 된다.
1.1 BaTiO3 광학적 특성
BaTiO3의 단결정은 상온에서 강유전성을 지니는 물질로 광학적 성질이 뛰어나다. 광학적 성 질 중 주목 받고 있는 것은 전기광학효과이다.(전기광학 효과 : 부가된 전기장에 의해 결정
내의 굴절률이 변하는 현상)
- BaTiO3 구조의 선택적 에칭 특성 (이윤희 이석 오명환 / 인하대학교)
- R. Tueta and M. Braguier. 'Fabrication and characterigations of Indium Tin Oxide thin
films for Electroluminesent applications"
- X. Li. M. W. Wanlass. T. A. Gessert. K. A. Emery. and T. J. Coutts. "High-ef-ficiency
indium tin oxide"
- I. Adesida. D. G. Ballegeer. J W. Cheng. "Etching of indium tin oxide in methance"
- J. W. S. A. A. Ketterson D. G. ballegeer, K. Y. Cheng. I. Adesida, X. Li and T.
Gessert." A Comparative study of Metal-Semiconductor-Metal Photodetextor on GaAs
with BaTiO3
- E. An. I. Adesida. T. Brock. C. Caneau. and V. Keramidas. " Short period gratings for
long-wavelength optical devices"
- L. E. Kline. W. D. Partlow. and W. E. Bies. "Electron and chemical kinetics in methane
glow-discharge deposition plasma"
- D.J. Lee, Comparative studies on the growth behavior of ZnO nanorods by metalorganic chemical vapor deposition depending on the type of substrates, Nov.(2004)
