![[디스플레이재료실험] TFT(Thin Film Transistor)-1](http://images.happyhaksul.com/thumb/445/444774-0001.gif)
![[디스플레이재료실험] TFT(Thin Film Transistor)-2](http://images.happyhaksul.com/thumb/445/444774-0002.gif)
![[디스플레이재료실험] TFT(Thin Film Transistor)-3](http://images.happyhaksul.com/thumb/445/444774-0003.gif)
![[디스플레이재료실험] TFT(Thin Film Transistor)-4](http://images.happyhaksul.com/thumb/445/444774-0004.gif)
![[디스플레이재료실험] TFT(Thin Film Transistor)-5](http://images.happyhaksul.com/thumb/445/444774-0005.gif)
![[디스플레이재료실험] TFT(Thin Film Transistor)-6](http://images.happyhaksul.com/thumb/445/444774-0006.gif)
![[디스플레이재료실험] TFT(Thin Film Transistor)-7](http://images.happyhaksul.com/thumb/445/444774-0007.gif)
![[디스플레이재료실험] TFT(Thin Film Transistor)-8](http://images.happyhaksul.com/thumb/445/444774-0008.gif)
![[디스플레이재료실험] TFT(Thin Film Transistor)-9](http://images.happyhaksul.com/thumb/445/444774-0009.gif)
![[디스플레이재료실험] TFT(Thin Film Transistor)-10](http://images.happyhaksul.com/thumb/445/444774-0010.gif)
![[디스플레이재료실험] TFT(Thin Film Transistor)-11](http://images.happyhaksul.com/thumb/445/444774-0011.gif)
![[디스플레이재료실험] TFT(Thin Film Transistor)-12](http://images.happyhaksul.com/thumb/445/444774-0012.gif)
![[디스플레이재료실험] TFT(Thin Film Transistor)-13](http://images.happyhaksul.com/thumb/445/444774-0013.gif)
![[디스플레이재료실험] TFT(Thin Film Transistor)-14](http://images.happyhaksul.com/thumb/445/444774-0014.gif)
![[디스플레이재료실험] TFT(Thin Film Transistor)-15](http://images.happyhaksul.com/thumb/445/444774-0015.gif)
![[디스플레이재료실험] TFT(Thin Film Transistor)-16](http://images.happyhaksul.com/thumb/445/444774-0016.gif)
분야
ppt2. Process
3. Result & Discussion
4. Conclusion
5. 참고문헌
반도체
Crystalline(결정) ; Si, Ge
Amorphous(비정질) : TFT (thin firm transistor),
LCD (liquid crystal display)
LCD :
액정을 이용해서 문자나 숫자 표시판으로 두 개의 유리판 사이에
액정을 넣고 전압에 의해서 원하는 문자를 표시하도록 함. 전압을
걸어 주면 비정질에서 결정으로 변화
TFT :
display는 대부분 유리 기판을 사용, 비정질인 유리 위에 결정이 Si을
올릴 수 없다. → 비정질 Si 사용, 결정에 비해 구동능력이 떨어지지만
메모리처럼 속도가 중요하지 않기 때문에 사용
기판으로 Si를 사용할 경우의 장점
① Si 전자소자 집적 가능
② Si 산화막 이용 가능
③ 광회로 칩에 광섬유를 부착할 때 또는 다른 광소자들을 광회로 칩에 hybrid 집적할 때 Si의 비등방성 V-groove 식각을 이용한 정밀 가공 가능
④ 광회로 칩에 반도체레이저를 Hybrid 패키징 할 때 열전도가 큰 Si를 heat sink로 사용 가능
⑤ 저렴하고 고품질이고 결정성 기판으로
고온 공정 가능
.
.
Conclusion – 전기적 특성
Si wafer 을 기판으로 한 N channel MOSFET 를 제작하였다.
전기적 특성 분석 시 W=200um L=15um를 넣어 계산한 결과 약139 cm²/VS 의 effective mobility를 나타내었다. Ci를 측정하지 않고 계산하였기 때문에 약간의 오차는 있을 것이며 일반적으로 MIM구조를 만들어 Ci 값도 측정했어야 더 정확하게 나왔을 것이라 생각된다.
- S.O. Kasap
Introduction To Microelectronic Fabrication
- R.C. Jaeger
Solid State Electronic Devices
- Ben Streetman, Sanjay Banergee
Semiconductor Manufacturing Technology
- Quirk, Michael, 1953-Serda, Julian
PH Effect at Doped Si Semiconductor Interfaces
- 천장호 , 나극환
• http://www.mems-exchange.org/MEMS/processes/
• http://ece.utep.edu
• http://www.semipark.co.kr/semidoc/waferfab/
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- Korea display industry association
