[화학공학]ArO2 분압비에 의존하는 ZnO 박막의 물리적 특성

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레포트 > 공학계열
2010.09.08
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소개글

[화학공학]ArO2 분압비에 의존하는 ZnO 박막의 물리적 특성에 대한 자료입니다.

1.Some physical properties of ZnO thin films prepared by RF sputtering technique
2.Growth of ZnO:Al films by RF sputtering at room temperature for solar cell applications
3.Effects of dopant(Al, Ga, and In) on the characteristics of ZnO thin films prepared 4.By RF magnetron sputtering

본문내용

The GZO, MZO thin films were prepared on ZnO pre-sputtered glass substrate using RF Sputtering Technique. Morphological, Structural and Electrical properties of deposited films were investigated in comparison with pure ZnO Thin film by scanning electronic microscopy (SEM), Atomic force microscopy (AFM), X-ray diffraction (XRD), PL spectra and other electrical analytic method. SEM images showed all films have similar growth vertical orientations. AFM images showed the grain scale and roughness of thin film respectively. It can be argued that wrutzite structure of ZnO was formed using XRD Study. Photoluminescence spectra excited by a He-Cd laser at room temperature showed the green luminescence at approximately 500~550nm. The GZO thin film has the best electrical properties among all samples in terms of carrier concentration (6.0*10-3cm-3), charge carrier mobility (30.2cm2V-1s-1), and minimum resistivity (4.0*10-4 Ωcm)
RF 스퍼터링 기술을 이용하여 유리기판 위에 형성한 ZnO 박막위에 다시 동일한 방법을 통해 MZO와 GZO 타겟으로 박막을 형성하였다. 형성된 박막의 형태적, 구조적 그리고 전기적인 특성들을 확인하기 위해 전자 주사 현미경 (SEM), 원자간력 탐침형 현미경 (AFM), XRD 분석, PL 스펙트럼분석과 다양한 전자기적분석법을 통해 순수한 ZnO박막과 비교 분석하였다. SEM 이미지는 모든 결과물이 수직방향으로 성장하였다는 것을 보여주었다. AFM이미지의 경우 각각 표면의 입자크기와 거칠기 등을 파악할 수 있었고, GZO의 경우 가장 매끈한 것을 확인할 수 있었다. XRD를 통해 ZnO의 기본 우르짜이트 구조가 형성되는 것을 확인할 수 있었다. PL 스펙트럼으로 녹색 파장인 500~550nm대에서 전자의 방사가 이루어짐을 확인할 수 있었다. GZO의 경우 다른 샘플들에 비해서 전자매개농도와 전하의 이동도가 높고, 가장 낮은 저항을 갖는 것으로 확인되었다.

#화학공학 #ZnO #물리적 #분압비 #ArO

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