소개글
[반도체 공정] 웨이퍼 제조공정에 대한 자료입니다.
목차
1. 주재료(Silicon)
2. 웨이퍼 분류
3. 웨이퍼 제조과정
4. 주요공정
- 단결정성장 / 절단
- 표면평탄화
- 세정/ 검사
5. 완성
본문내용
Dopant 종류에 따라
- N-Type : 5가 원소(P, Sb) 를 Dopant로 사용, 과잉전자 발생
- P-Type : 3가 원소(B) 를 Dopant로 사용, Hole 발생
결정성장 방향에 따라
- 100
- 111
웨이퍼의 직경에 따라
- 3인치, 4인치, 5인치, 6인치(150mm),
8인치(200mm), 12인치(300mm)
단결정 봉을 웨이퍼로 변형시키는 공정
단결정조직의 배열위해
흑연빔에 놓은뒤 고도의
절삭기술을 사용해서
단결정을 웨이퍼로 변형!
(방향성 체크위해 NOTCH생성)
다이아몬드를 사용한 절단방식에서 보다 발전한 wire를 이용한 절단 방식도 사용되고 있습니다. 기존의 다이아몬드를 사용한 Blade Type의 절단방식에 수율향상, 두께편차(TTV), Bow/Warp 등의 휘어짐 정도 감소등의 장점이 있습니다.