[재료 공학] 반도체 제조 공정

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레포트 > 공학계열
2006.12.13
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소개글

[재료 공학] 반도체 제조 공정에 대한 자료입니다.

설계진행과정

1. 반도체 소자를 제조하는 공정에서 issue가 되는 것들과
이를 해결하기 위해 어떠한 방법들이 현재 개발되고 있는가?
I. STI 공정
i. 개발현황
 플라즈마공정에 의한 에스티아이 공정의 특성개선방법

II. 화학기상증착(CVD)공정
i. 개발현황
 실리콘 산화막의 질소 패시베이션 효과
 플라즈마를 이용한 식각 공정과 증착 공정

III. 웨이퍼공정

i. 개발현황
 3백㎜(12인치)웨이퍼 공정 기술

2. 나의 아이디어

본문내용

1. STI공정
Trench는 0.25㎛ 이후의 반도체 공정에서 Isolation 목적으로 만들어진 공정이다.
Design Rule마다 조금의 차이는 있지만 4000Å정도의 깊이로 Silicon Wafer를 Etch해서
소자들끼리 격리시키는 것, 이 공정을 STI(Shallow Trench Isolation)이라고 한다.
CVD(화학증착)는 Pack cementation , Thermal CVD, 플라즈마 CVD로 크게 나눌 수 있다. CVD의 기본 원리는 증착하고자 하는 물질을 함유하는 반응가스를 반응조에 도입하여 가열된 기판 표면에서 열분해를 일으키도록 함으로써 원하는 물질을 증착하는 것이다.
2. 화학기상증착(CVD) 공정
CVD(화학증착)는 Pack cementation , Thermal CVD, 플라즈마 CVD로 크게 나눌 수 있다. CVD의 기본 원리는 증착하고자 하는 물질을 함유하는 반응가스를 반응조에 도입하여 가열된 기판 표면에서 열분해를 일으키도록 함으로써 원하는 물질을 증착하는 것이다.
3. 웨이퍼 공정
 3백㎜(12인치)웨이퍼 공정 기술

현재 일반적으로 사용되고 있는 200㎜(8인치) 웨이퍼에 비하여 300㎜(12인치)웨이퍼의 최대 장점은 반도체소자의 제조원가 절감.
하지만 대체 제품인 300㎜ 웨이퍼가 신규라인 건설에 따른 비용부담이 과다하고 웨이퍼 자체의 신뢰성이 아직 검증되지 않은 상태이고 웨이퍼가 300㎜로 대구경화하면서 플라즈마 밀도나 공정 관련 요소들의 균일도가 나빠지는 문제점 제기.

. 나의 아이디어
원하는 부분만 laser를 사진식각공정 대신 사용

#반도체 #제조 공정 #CVD법 #웨이퍼 공정 #증착

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