![[전자재료실험] MOS Capacitor-1](http://images.happyhaksul.com/thumb/661/660998-0001.gif)
![[전자재료실험] MOS Capacitor-2](http://images.happyhaksul.com/thumb/661/660998-0002.gif)
![[전자재료실험] MOS Capacitor-3](http://images.happyhaksul.com/thumb/661/660998-0003.gif)
![[전자재료실험] MOS Capacitor-4](http://images.happyhaksul.com/thumb/661/660998-0004.gif)
![[전자재료실험] MOS Capacitor-5](http://images.happyhaksul.com/thumb/661/660998-0005.gif)
![[전자재료실험] MOS Capacitor-6](http://images.happyhaksul.com/thumb/661/660998-0006.gif)
![[전자재료실험] MOS Capacitor-7](http://images.happyhaksul.com/thumb/661/660998-0007.gif)
![[전자재료실험] MOS Capacitor-8](http://images.happyhaksul.com/thumb/661/660998-0008.gif)
![[전자재료실험] MOS Capacitor-9](http://images.happyhaksul.com/thumb/661/660998-0009.gif)
![[전자재료실험] MOS Capacitor-10](http://images.happyhaksul.com/thumb/661/660998-0010.gif)
![[전자재료실험] MOS Capacitor-11](http://images.happyhaksul.com/thumb/661/660998-0011.gif)
![[전자재료실험] MOS Capacitor-12](http://images.happyhaksul.com/thumb/661/660998-0012.gif)
![[전자재료실험] MOS Capacitor-13](http://images.happyhaksul.com/thumb/661/660998-0013.gif)
![[전자재료실험] MOS Capacitor-14](http://images.happyhaksul.com/thumb/661/660998-0014.gif)
![[전자재료실험] MOS Capacitor-15](http://images.happyhaksul.com/thumb/661/660998-0015.gif)
![[전자재료실험] MOS Capacitor-16](http://images.happyhaksul.com/thumb/661/660998-0016.gif)
![[전자재료실험] MOS Capacitor-17](http://images.happyhaksul.com/thumb/661/660998-0017.gif)
![[전자재료실험] MOS Capacitor-18](http://images.happyhaksul.com/thumb/661/660998-0018.gif)
![[전자재료실험] MOS Capacitor-19](http://images.happyhaksul.com/thumb/661/660998-0019.gif)
분야
hwp1. 실험 목적
2. 실험 배경
3. 실험 이론
① Si의 특성
② MOS Capacitor
③ E-Beam의 구조와 증착원리
4. 실험 방법
5. 결과 예측
6. 결과 분석
① C-V 결과 분석
② I-V 결과 분석
7. 결론
8. 참고문헌
MOS capacitor를 직접 제작하면서 그 공정을 이해하고, dielectric material의 두께 및 electrode의 크기를 변수로 두고 C-V와 I-V를 측정하여 각각의 변수가 어떤 영향을 미치는지에 대하여 분석해 본다.
2. 실험 배경
1960년에 벨 연구소의 연구진은 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)을 발명했다. 이는 이전 트랜지스터에 비해 저렴한 생산비와 기술적 이점을 가졌으며 성능 또한 우수해 전자공학에서 주도적인 역할을 차지하게 되었다. 오늘날과 같은 디지털정보사회가 되기까지 마이크로프로세서와 같은 디지털 기술이 성장에 발맞추어 MOSFET기술 또한 빠르게 발전해 왔다. 이러한 MOSFET의 바탕이 되는 MOS를 이용한 cpacitor 즉 MOS capacitor는 유전체로써 oxide를 사용하였기 때문에 붙여진 이름이며 이번 실험에서 제작할 소자이다.
3. 실험이론
Si-wafer
① Si의 특성
실리콘은 일반적으로 규소-규소 결합이 아주 불안정하기 때문에 산화물 실리콘(SiO2)으로 모래, 암석, 광물 등의 형태로 존재한다. 이들은 지각의 1/3정도를 구성하고 있어 지구상에서 매우 풍부하게 존재하고 있으며, 따라서 반도체 산업에 매우 저가의 가격으로 안정적으로 공급될 수 있는 재료이다. 또한 물질에 독성이 전혀 없어 환경적으로 매우 우수한 재료이기도 하다.
2) 반도체소자공학 - betty lise anderson외, 서정하 외 역
3) Solid State Electronic Devices - Ben Streetman, Sanjay Banerjee
4) 전자기학 - popovic zoya, 박동철 외 역
5) 한국진공학회지 제 10권 제 1호, 2001년
6) 엔지니어를 위한 기초전자공학 -明正水
7) Journal of the Korean Physical Society, Vol. 40, 1, January 2002, pp. 64~67
8) http://ecee.colorado.edu/~bart/book/book/chapter6/ch6_3.htm
9) 재료전자기학 - 이후정교수님 강의안
