증착법과는 다르게 저온에서 간단히 박막을 증착할 수 있는데, 다음과 같이 여러 증착법이 있다.
스퍼터링(Sputtering), 전자빔 증착법 (E-beam evaporation), 열 증착법(Thermal
evaporation), 레이저분자빔 증착법 (L-MBE, Laser Molecular Beam Epitaxy), 펄스 레이저 증착법(PLD, Pulsed Laser Deposition) 등이 그것인데, 이번 실험
증착법 (E-beam evaporation), 열증착법 (Thermal evaporation), 레이저분자빔증착법 (L-MBE, Laser Molecular Beam Epitaxy), 펄스레이저증착법 (PLD, Pulsed Laser Deposition) 등이 있다.
스퍼터링 (Sputtering)의 특징은 플라즈마를 이용하여 표적제(금속)등을 작은 나노입자 들로만들어서 그것을 이용하여 코팅이나 기타공정을 수행
증착법 (PLD, Pulsed Laser Deposition) 등이 있다.
스퍼터링 (Sputtering)의 특징은 플라즈마를 이용하여 표적제(금속)등을 작은 나노입자 들로만들어서 그것을 이용하여 코팅이나 기타공정을 수행하는 것이 특징이며 주로 코팅 분야에 사용된다. 스퍼터링의 장점으로는 넓은 면적에서 균일한 박막두께
소수 운반자는 확산과정에서 다수 운반자와 재결합하며, 결합하
는 전자와 정공의 에너지 차에 해당하는 빛을 방출한다. LED가 방출하는 빛의 양
은 다이오드 전류에 비례하여 커지게 된다. 따라서, 고휘도를 요구하는 조명용
LED가 높은 전류 (~1A)하에서 작동하게 되는 이유가 바로 여기에 있다.
공정상 사용하는 빛의 한계이다.현재 전자 회로 생산 공정에서 사용하는 자외선의 가장 짧은 파장이 약 250나노미터이다. 포토리소그래피에서 작은 회로두께를 만들기 위해서는 회로두께보다 작은 파장의 광선이 필요한데 이것은 그리려는 선보다 폭이 두꺼운 붓으로는 선을 그리기 힘든 것과 같습니
박막을 형성하고 그 위에 금속 전극을 배치한다. 이 구조를 접합구조로 한 MOS 다이오드, 전계효과 트랜지스터(FET)의 게이트에 사용한 MOSFET 등의 장치에 응용되고 있다.
(1) MOS의 구조
MOS는 반도체 기판위에 이산화규소(Si02)로 된 Depletion layer(공핍층)와 금속층을 쌓아서 얻어진다. SiO2가 유전체(dielectr
실험 목적
전도성 고분자를 이용하여 기존의 ITO의 단점을 보완한 고투명성과 고유연성이 확보되는 박막전극의 제조
PEDOT:PSS
장점
높은 투과도
높은 열 안정성
수용액 상태로 존재
증착의 용이함
낮은 표면 거칠기
저비용
단점
낮은 전기 전도도
(DMSO, EG, PEG 등의 첨가를 통해 향상 가능)
Poly
공정에 어려움이 있고 빛 투과도 역시 유리보다 낮기 때문에 발광효율을 감소시키는 단점을 갖고 있다.
▶Anode층(양극): OLED는 Anode는 진공증착이나 스퍼터링법으로 형성된 ITO(Indium Thin Oxide)가 주로 전극으로 사용된다. 일반적으로 Anode 전극은 보다 많은 정공을 만들고 정공의 주입을 용이하게 하기