증착법(Thermal
evaporation), 레이저분자빔 증착법 (L-MBE, Laser Molecular Beam Epitaxy), 펄스 레이저 증착법(PLD, Pulsed Laser Deposition) 등이 그것인데, 이번 실험에서 사용한 증착법은 전자빔 증착법이다.
전자빔 증착법은 박막을 증착시킬 때, 증착시키고자 하는 물질을 소결하거나 녹여 고체 상태로 제조하고 전자
도착한 기체상태의 물질의 조성과 같다. PVD는 증착시키려는 물질을 기체 상태로 만들어서 날려 보내는 것이므로 진공 상태에서 해주어야 한다. 즉, 중간에 다른 기체 분자들과 부딪혀서 기판에 닿지 못하거나 중간에 열을 잃어버려서 고체로 변해버리는 문제를 막기 위해 진공 환경에서 실험해야한다.
반도체 판이 있으며, 그 사이에는 유전체 역할을 하는 oxide가 있다. 주로 전극을 연결하기 위해 Si 뒤에 금속코팅을 하는 경우가 많다.
2.1.2. MOS Capacitor의 작동원리
그림 2. 평형상태 에너지밴드
MOS capacitor의 작동원리는 인가된 교류 전압의 크기에 따라 accumulation(축적), depletion(공핍), inversion(
실험에 빗대어 설명을 하면 실리콘 Wafer를 E-beam evaporator 내부 상단의 chamber에 장착을 하고 도가니에 증착하고 싶은 물질, 예를 들어 powder를 올린다. 이때 물질의 상태는 solid상태여야 한다. 내부를 진공으로 만들어 준 뒤 E-beam gun을 물질에 쏘아서 증발시켜 실리콘 wafer에 증착을 시키는 것이 원리가 된다
반도체 소자를 사용하기 전 이상 유무를 확인하는 것을 말하며, 일반적으로 반도체 소자의 전기적 기능을 검사하고, 자재에 맞게 주어진 프로그램 내에서 기능이 제대로 발휘되는 지를 확인하는 여러 과정을 포괄적으로 표현하는 말이다. 이러한 것이 가능하기 때문에, 우리가 만든 시편의 전기적 기능