전자빔을 이용하여 박막을 형성하는 것이 E-Beam Evaporator이다. 그림5.는 E-beam장치의 구조도이다. 장치안의 필라멘트에 매우 높은 전압을 가하면 필라멘트에서 에너지를 가진 열전자들이 방출된다. 이 부분을 electron gun이라하고 여기에 의해 방출된 열전자들은 ingot 형태의 증착시키고자하는 재료(ingot feede
전자빔을 이용하여 박막을 형성하는 것이 E-Beam Evaporator이다. 그림5.는 E-beam장치의 구조도이다. 장치안의 필라멘트에 매우 높은 전압을 가하면 필라멘트에서 에너지를 가진 열전자들이 방출된다. 이 부분을 electron gun이라하고 여기에 의해 방출된 열전자들은 ingot 형태의 증착시키고자하는 재료(ingot feede
재료로는 W(텅스텐), Mo(몰리브덴), Ta(탄탈) 등이 쓰인다. 증발원에 전류를 흘려보내면 저항에 의해 가열이 되는데 이때 시료는 녹게 되고 결국 증발하게 되는 것이다. 증발원 재료는 고온에서 증발원의 재료와 박막재료가 반응이나 확산을 일으키지 않는 재료를 사용하게 된다. 또한 녹는점이 높아야 하
전자빔 증착법 (E-beam evaporation), 열 증착법(Thermal
evaporation), 레이저분자빔 증착법 (L-MBE, Laser Molecular Beam Epitaxy), 펄스 레이저 증착법(PLD, Pulsed Laser Deposition) 등이 그것인데, 이번 실험에서 사용한 증착법은 전자빔 증착법이다.
전자빔 증착법은 박막을 증착시킬 때, 증착시키고자 하는 물질을 소결하거
01 실험 목적
MOS Capacitor를 직접 제작해보고 공정을 이해
유전층의 종류(Al2O3, SIO2)에 따른 MOS Capacitor의 전기적 특성분석
(중략)
04 결론
1. SiO2와 Al2O3의 Cmax 측정값과 예상값의 차이
-E-beam Evaporation 의 좋지 않은 박막 균일도
-실험상의 오류
2. 순방향과 역방향 Bias 에서의 C-V 커브 차이
-h