1. 실험제목
결정의 전기 전도도
2. 실험목적
금속박막과 반도체의 온도변화에 따른 전기전도도의 변화를 비교하고 전기전도
도의 차이가 생기는 이유를 실험을 통하여 검증한다.
3. 실험이론
일반적으로 그림 1과 같이 간단한 모양을 가진 물질의 전기저항 R 은 다음의 식으로 주어진
다.
금속이 무엇인가에 의해 또 어떤 배위자 구조로 조합되는가에 따라 전혀 달라진다.
수 명
OLED 소자의 수명은 일반적으로 휘도가 초기 휘도치의 반으로 떨어질 때까지 걸리는 시간 즉 휘도 반감시간으로 나타낸다. 소자의 수명을 저하시키는 열화의 요인으로는 불순물, 전극과 유기박막 계면에서의
, 바깥쪽의 탐침을 통하여 전류 I(A)를 흐르게 하여 가운데 2개의 탐침 사이의 전위차 V(V)를 측정한다. 그리고 측정값은 극성을 바꾸어 실시하여 그 평균값을 취한다. 면 저항 값을 계산하기 위해서는 저항 값(Ω)에 보정계수를 적용해 줘야 한다. 보정계수는 Sample size와 박막의 두께 그리고 측정 시
금속-산화물-반도체)의 3중 구조를 말한다.
Metal-Insulator-Semiconductor(금속-절연체-반도체) 구조 중에서 가장 널리 이용된다. 실제로는 실리콘 기판위에 SiO2 박막을 형성하고 그 위에 금속 전극을 배치한다. 이 구조를 접합구조로 한 MOS 다이오드, 전계효과 트랜지스터(FET)의 게이트에 사용한 MOSFET 등의 장
박막 제조가 용이하고, 직접천이(direct bandgap) 구조를 가지고 있어 실리콘에 비해 광 흡수율이 높다. 또한 터널접합(tunnel junction) 구조를 이용하여 P-N 접합 태양전지를 금속 전극 없이 반도체 박막만으로 직렬 연결이 가능하여 한 번의 박막 증착 공정으로 넓은 흡수대역을 가지는 다중접합 태양전지 제작