2-2. ICP
1) ICP 정의
아르곤(Ar)을 플라즈마 가스로 이용하여 고주파 발생기로부터 발생된 주파수(2.45GHz) 영역에서 유도코일에 의해 발생된 플라즈마 발생소스에는 평판형(planar)(와선형), 나선형(helical)(실린더형)
이 있다.
2) ICP의 원리
Coil에 고주파 가하면 자기장 발생
챔버 주위로 원형의
플라즈마(Plasma)로부터 나오는 빛을 이용하여 문자 또는 그래픽을 표시하는 소자를 말한다. 크게 직류형(DC type)과 교류형(AC type)로 나뉜다. 1964년 미국 일리노이 대학의 AC형 PDP의 구조 발명으로 본격적인 개발이 시작되었으며, 1970년대 일본으로 기술이 이전되었다. 1992년에는 후지츠사가 직류형 방전 구
기술은 그 방법에 따라 Thermal- 또는 UV-NIL 두 가지로 분류할 수 있다. 2006년 4월 전자공학회지 제33권 제4호, 연세대학교, 강신일
2. Thermal-NIL(Nano Imprint Lithography)
Thermal-NIL 기술은 고온 고압의 환경에서 열에 변형이 되는 폴리머 레진에 나노 크기의 형상이 새겨진 몰드(스탬프)를 눌러서 나노 패
반도체 원료로 쓰이기 위해 정제과정이 필요합니다. 그래서, 실리콘을 뜨거운 열로 녹여 고순도의 실리콘 용액을 만들고 이것으로 실리콘 기둥, 즉 잉곳(Ingot)을 만드는데요, 실리콘 결정 성장기술인 초크랄스키법(Czochralski, Cz) 혹은 플로팅 존법(Floating Zone, FZ) 등을 이용하여 얻을 수 있습니다.
특히,