스탬프를 레지스트 층과 떼어낸다. 2006년 4월 전자공학회지 제33권 제4호, 연세대학교, 강신일
그림 2. NIL공정해석을 위한 공정도
이 임프린트 리소그래피 공정은 기존의 다른 나노 패터닝 기술(포토 리소그라피, 전자 빔 리소그라피 등)처럼 고가의 장비가 필요 없고, 공정 시간이 짧게 걸리는 장
NIL) 의 기본 원리
나노 임프린트 리소그래피는 초미세 가공인 나노 가공을 실현하기 위해 제안된 기술이다. 기존 반도체 공정의 사진 현상 방식의 미세화의 한계점을 극복하고, 스탬프에 잉크를 채워 도장을 찍듯이 나노 크기의 패턴을 간단하게 기판위에 찍어내어 나노 구조물을 제작하는 것이
나노기술과 바이오 기술 등은 새로운 형태의 3차원 구조, 평탄하지 않은 기판, 깨지지 쉬운 기판 사용 등을 필요로 하여 기존의 광 투사 리소그래피 기술만으로는 해결하기 힘들다. 따라서 이러한 문제점들을 해결하기 위하여 여러가지 형태의 리소그래피 기술들이 제안되어 연구되고 있다.
이 보고
공정으로 하며, 에칭 공정과 분리해서 생각할 수도 있다. 현재, 패턴 노광은 레티클이라 불리는 마스크 기판에 의해 축소 투영 전사시킴으로써 행해지고 있다. 이 공정은 모든 프로세스 기술의 중심이며, 반도체 공장에서도 가장 많은 금액의 투자를 필요로 하는 장치이다. 패턴 형성 후에는 반드시 에
나노스케일로 패터닝하고 형성된 단분자막을 이용하여 나노구조물을 제작하는 방식입니다. 이는 소프트 리소그래피의 한 지류 기술이라고 할 수 있습니다. 접촉식 프린트를 구성하는 주요 기술로는 마스터, 엘라스토머, 스템프, 잉크, 프린팅 장비 등이 있습니다. 공정 순서는 그림 6a 와 같이 , 규소 와