영문판으로 출간되었다고 한다.
② 1978, Dr. Mimura가 GaAs MOSFET이 왜 수용되지 않은지 설명하고 연구를 중지하였다. 그 후, Dr.Yokoyama는 GaAs LSI의 개발을 했다. 계속하여, RHET(Resonant tunneling Hot Electron Transistor),를 개발하고 quantum mechanics의 전자구조효과를 적용하였다.
③ 1979, Dr.Mimira가 Bell 실험소의 Dr.Dingle에
소자의 개발에도 접목될 수 있다. 또한 OLET는 기존의 전자, 광자, 평면구조, 기술과 일치하기 때문에 OLET를 핵심 능동 소자로 하는 광통신, 광전자 시스템의 발전도 가능하다. 최근 고분자 또는 유기물의 용액 가공과 연계하여 OLET의 제조가 플라스틱 기판에서 성공하였으며, 대화면 플렉서블 기판 위에
반도체가 되며 13족 원소를 첨가하면 반대로 전자가 부족하게 되어 정공으로 이루어진 p형 반도체가 된다. n형 반도체와 p형 반도체를 붙여놓으면 p형 반도체에서 n형 반도체 방향으로는 전류가 잘 흐르며 반대방향으로는 거의 흐르지 않는 정류작용이 일어난다. 이러한 소자를 다이오드(diode)라고 하며
공정 으로 감히 엄두도 내지 못하게 하는 일명 따라올테면 따라와 봐라로 경쟁력이 강합니다 )그러나 하이닉스가 미국 상무부의 상계관세로 미국 영업을 못하게 되어서 판매부진을 겪고 있는걸로 알고 있습니다.
우리나라의 반도체 성장속도는 미국이나 일본이 걸어온 길을 단숨에 뛰어 넘을 정도로
SoC가 가능하다는 점이다. 현재 송.수신단의 고주파 회로에 사용되고 있는 BJT는 CMOS에 비해 더 고주파, 광대역에서도 동작하고 동작 특성이 좋지만, 부품 크기가 크고 가격도 비싸고, 무엇보다 저주파단의 CMOS와 연결하는 공정을 사용해야 하며 기기의 저전력화, 소형화에 불리하다는 단점을 안고 있다.